標簽 > 3d nand
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型,通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間,但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
具有旁路模式的 40 MHz 至 1 G 中帶 1805 至 2170 MHz 低 850 至 920 MHz、19 dBm 700 至 800 MHz、19 dBm 2110 至 2170 MHz 線性功率 851 至 894 MHz 線性功率放大 758 至 803 MHz 線性功率放大 1930 至 1995 MHz 線性功率 1805 至 1880 MHz 高效 4 800 至 900 MHz 高效 4 W 5 GHz、23dBm 功率放大器,帶功 高功率 ( 19 dBm) 802.11
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