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標簽 > 長江存儲
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國內首家 NAND Flash 大廠長江存儲的新一代 64 層 3D NAND 芯片即將在 8 月投產(chǎn),這個時間點加入全球存儲競賽堪稱是“最混亂的時代”...
國產(chǎn)存儲廠商長江存儲預計在第三季度量產(chǎn)64層3D閃存
據(jù)Digitimes報道,長江存儲(YMTC)將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風險試產(chǎn)預計三季度啟動,目前良率已經(jīng)實現(xiàn)了顯著爬升。
紫光存儲發(fā)布企業(yè)級SSD新品 采用長江存儲32層3DNAND
近日,紫光存儲在第七屆中國電子信息博覽會中展出了一款面向企業(yè)級市場的固態(tài)硬盤P8260。
三星東芝轉向先進制程 2019年NAND Flash產(chǎn)業(yè)大洗牌
據(jù)DIGITIMES Research估計,NAND Flash位元出貨量從2017年起連續(xù)呈現(xiàn)3~4成的成長率,包括在2017年成長36%、2018年...
2019-01-03 標簽:三星電子NAND Flash長江存儲 4.9k 0
長江存儲成功將Xtacking技術應用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)
談到NAND閃存,或者說以它為代表的SSD產(chǎn)品,多數(shù)人對速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上,但其實閃存芯片也有內部接口,LG...
長江存儲預計在2019年全速量產(chǎn) 2020年會趕超國際領先的閃存公司
NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國公司在此領域毫無話語權,甚至連收購、合作外資公司都沒可能,想獲得突破...
近日,網(wǎng)友爆料一大消息。說聯(lián)電內部一專利大律師, 跳槽進入長江存儲,據(jù)稱此律師極力反對聯(lián)電晉華狀告美光。但值得注意的是,聯(lián)電在福建狀告美光沒有聽從此律師...
長江存儲迎來荷蘭光刻機,國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將更上一層樓
貿(mào)易戰(zhàn)一波三折,目前兩方還是在互懟的狀態(tài)。。。6月15日,美國白宮宣布對從中國進口的、含重要工業(yè)技術的500億美元商品征收25%的關稅,并提到這些商品...
2018是國內半導體設備拐點之年伴隨晶圓廠向國內的產(chǎn)業(yè)轉移,國內迎來晶圓廠的建設熱潮。
Xtacking? 架構取得三大技術突破,64層3D NAND預計明年批量出貨
集微網(wǎng)消息,9月19日,2018年中國閃存市場峰會(CFMS2018)在深圳舉行,長江存儲總經(jīng)理楊士寧博士以“創(chuàng)新Xtacking?架構:釋放3D NA...
存儲器是我們最常見的一種存儲產(chǎn)品之一,也是應用非常廣泛的一種半導體器件,存儲分為上游、中游、下游市場,我們接觸最多的是中下游市場,而對存儲上游市場似乎并...
2018年全球NAND Flash價格一路走跌,由于市場需求增長平緩,業(yè)者預期下半年將延續(xù)跌勢,隨著國際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時代技術堆...
長江存儲明年量產(chǎn)64層128Gb的存儲器,突破國產(chǎn)存儲芯片“零”實現(xiàn)
繼2017年5月言辭犀利地抨擊了高通在華投資企業(yè)瓴盛科技后,紫光集團董事長趙偉國在首屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上又“懟”上了高通。
3D NAND供應商正準備迎接新的戰(zhàn)斗,相互競爭下一代技術
3D NAND通過設備中堆疊的層數(shù)來量化。隨著更多層的添加,位密度增加。今天,3D NAND供應商正在推出64層設備,盡管他們現(xiàn)在正在推進下一代技術,它...
長江存儲3D NAND閃存堆棧結構Xtacking,獲得了“最佳展示獎”
日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講,我們之前也做過簡單的報道,這次他們的介紹更加詳細,我們可以一窺長江存儲的...
莫大康:貿(mào)易戰(zhàn)下的中國半導體業(yè)
人無遠慮,必有近憂”,要作好最壞時刻的預案準備,中國半導體業(yè)一定會由危機轉為契機。今天來看貿(mào)易戰(zhàn)可能有些“緊張”,但是相信再過幾年之后,隨著中國的國力繼...
作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲今天公開發(fā)布其突破性技術——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲一直都是三星的強項。
長江存儲發(fā)布突破性技術,將大大提升3D NAND的性能
作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱:長江存儲)昨日公開發(fā)布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶...
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