芯片制造過程中的布線技術(shù)

從鋁到銅，再到釕與銠，半導體布線技術(shù)的每一次革新，都是芯片性能躍升的關鍵引擎。隨著制程進入2nm時代，傳統(tǒng)銅布線正面臨電阻與可靠性的極限挑戰(zhàn)，而鑲嵌（大...

2025-10-29 標簽：半導體工藝芯片制造 143 0

半導體器件清洗工藝要求

半導體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關鍵基礎，其核心在于通過精確控制的物理化學過程去除各類污染物，同時避免對材料造成損傷。以下是該工藝的主要技...

2025-10-09 標簽：芯片制造半導體器件 334 0

視覺定位引導：芯片制造中的“精準之眼”

機器視覺引導的機器人修磨系統(tǒng)搭載的軟件已在蘋果供應鏈的核心制程中穩(wěn)定運行超十年，經(jīng)過千萬次批量生產(chǎn)驗證，具備極高的可靠性與可復制性。

2025-08-14 標簽：芯片制造工業(yè)自動化視覺定位 357 0

DEXMET PFA延展過濾網(wǎng)：0.11mm精度重塑芯片制造過濾工藝

大連義邦的DEXMET PFA全氟過濾支撐網(wǎng)憑借高精度（0.11mm）、耐強腐蝕、低摩擦、自潤滑等特性，成為半導體制造（如光刻、蝕刻、CMP工藝）中提升...

2025-08-08 標簽：芯片制造過濾系統(tǒng) 397 0

3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應用

光刻工藝是芯片制造的關鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對準精度的控制要求達納米級，傳統(tǒng)檢測...

2025-08-05 標簽：芯片制造顯微鏡光刻工藝 592 0

芯片制造中的鍵合技術(shù)詳解

鍵合技術(shù)是通過溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學鍵，實現(xiàn)不同材料（如硅-硅、硅-玻璃）原子級結(jié)合的核心工藝，起源于MEMS領域并隨SOI...

2025-08-01 標簽：集成電路芯片制造鍵合 1.2k 0

傳統(tǒng)封裝與晶圓級封裝的區(qū)別

在芯片制造的最后環(huán)節(jié)，裸片（Die）需要穿上“防護鎧甲”——既要抵抗物理損傷和化學腐蝕，又要連接外部電路，還要解決散熱問題。封裝工藝的進化核心，是如何更...

2025-08-01 標簽：芯片制造晶圓級封裝 1.1k 0

芯片制造中的對準技術(shù)詳解

三維集成電路制造中，對準技術(shù)是確保多層芯片鍵合精度、實現(xiàn)高密度TSV與金屬凸點正確互聯(lián)的核心技術(shù)，直接影響芯片性能與集成密度，其高精度可避免互連失效或錯...

2025-08-01 標簽：集成電路晶圓芯片制造 2.7k 0

劃片機在生物晶圓芯片制造中的高精度切割解決方案

劃片機（DicingSaw）在生物晶圓芯片的制造中扮演著至關重要的角色，尤其是在實現(xiàn)高精度切割方面。生物晶圓芯片通常指在硅、玻璃、石英、陶瓷或聚合物（如...

2025-07-28 標簽：芯片制造劃片機博捷芯 460 0

芯片制造中高精度膜厚測量與校準：基于紅外干涉技術(shù)的新方法

在先進光學、微電子和材料科學等領域，透明薄膜作為關鍵工業(yè)組件，其亞微米級厚度的快速穩(wěn)定測量至關重要。芯片制造中，薄膜襯底的厚度直接影響芯片的性能、可靠性...

2025-07-21 標簽：芯片制造測量 2.2k 0

芯片制造中的膜厚檢測 | 多層膜厚及表面輪廓的高精度測量

隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和人工智能(AI)驅(qū)動的半導體器件微型化，對多層膜結(jié)構(gòu)的三維無損檢測需求急劇增長。傳統(tǒng)橢偏儀僅支持逐點膜厚測量，而白光干涉法等技術(shù)難...

2025-07-21 標簽：半導體芯片制造測量 460 0

芯片制造的四大工藝介紹

這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術(shù)（光刻）?摻雜技術(shù)?鍍膜技術(shù)和刻蝕技術(shù)。

2025-07-16 標簽：芯片制造光刻加工工藝 2.6k 0

銅對芯片制造中的重要作用

在指甲蓋大小的芯片上，數(shù)百億晶體管需要通過比頭發(fā)絲細千倍的金屬線連接。當制程進入130納米節(jié)點時，傳統(tǒng)鋁互連已無法滿足需求——而銅（Cu） 的引入，如同...

2025-07-09 標簽：晶體管納米芯片制造 965 0

半導體分層工藝的簡單介紹

在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡（...

2025-07-09 標簽：半導體制造工藝芯片制造 1.3k 0

多晶硅在芯片制造中的作用

在芯片的納米世界中，多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly-Si） 。這種由無數(shù)微小硅晶粒組成的材料，憑借其可調(diào)的電學性能...

2025-07-08 標簽：多晶硅晶圓芯片制造 2k 0

半導體摻雜濃度及圖形測量方法

熱波系統(tǒng)通過激光誘導熱效應與晶格缺陷的關聯(lián)性實現(xiàn)摻雜濃度評估。其核心機制為：氬泵浦激光經(jīng)雙面鏡聚焦于晶圓表面，通過光熱效應產(chǎn)生周期性熱波，導致局部晶格缺...

2025-07-04 標簽：半導體芯片制造 2.1k 0

芯片制造中的暈環(huán)注入技術(shù)

當晶體管柵長縮至20納米以下，源漏極間可能形成隱秘的電流通道，導致晶體管無法關閉。而暈環(huán)注入（Halo Implant） 技術(shù)，正是工程師們設計的原子級...

2025-07-03 標簽：晶體管芯片制造PN結(jié) 1.2k 0

逆向阱技術(shù)的精密構(gòu)建

在芯片的硅基世界中，硼離子注入（Boron Implant） 如同納米級的外科手術(shù)——通過精準控制高能硼原子打入晶圓特定區(qū)域，構(gòu)建出晶體管性能的“地基”...

2025-06-13 標簽：晶體管納米芯片制造 545 0

芯片制造中解耦等離子體氮化工藝流程

在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下（約5個原子層）。此時，傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導致的漏電功耗可...

2025-06-12 標簽：等離子體工藝晶體管 1.8k 0

半導體制造中的高溫氧化工藝介紹

ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導體制造中的一種高溫氧化工藝，核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在...

2025-06-07 標簽：半導體工藝芯片制造 3.3k 0