文章來(lái)源：半導(dǎo)體與物理

原文作者：jjfly686

本文主要講述芯片制造中的從傳統(tǒng)封裝到晶圓級(jí)封裝。

在芯片制造的最后環(huán)節(jié)，裸片（Die）需要穿上“防護(hù)鎧甲”——既要抵抗物理?yè)p傷和化學(xué)腐蝕，又要連接外部電路，還要解決散熱問(wèn)題。封裝工藝的進(jìn)化核心，是如何更高效地將硅片轉(zhuǎn)化為功能芯片。

一、傳統(tǒng)封裝：先切割，后穿衣

核心流程：Wafer → Dicing → Packaging

晶圓切割（Dicing）

用金剛石刀片或激光將晶圓切成獨(dú)立裸片

芯片粘接（Die Attach）

銀膠或DAF薄膜（Die Attach Film）將裸片固定在基板

互聯(lián)工藝

金線鍵合（Wire Bonding）：用25μm金線（比頭發(fā)細(xì)1/3）連接芯片焊盤(pán)與基板

模塑封裝（Molding）

環(huán)氧樹(shù)脂模塑料（EMC）注入模具，高溫固化形成保護(hù)殼

晶圓級(jí)封裝（WLP）：先穿衣，后切割

核心流程：Wafer → Packaging → Dicing

晶圓級(jí)加工

重布線層（RDL）：在整片晶圓上光刻出銅導(dǎo)線，重新排布焊盤(pán)位置

植球（Solder Bumping）：通過(guò)電鍍?cè)诤副P(pán)上制作錫球或銅柱凸塊

整片封裝

整片晶圓涂覆保護(hù)層（PI/BCB介電材料）；部分工藝增加硅通孔（TSV）實(shí)現(xiàn)3D堆疊

切割分離

完成所有封裝步驟后切割晶圓，單片芯片直接可用

技術(shù)對(duì)比