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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略

摘要本文針對激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的精度問題，深入分析影響測量精度的因素，從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個維度提出精度提升...

2025-08-12 標簽：晶圓測量碳化硅 606 0

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備的日常維護與故障排查

摘要本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備，詳細探討其日常維護要點與故障排查方法，旨在通過科學(xué)的維護管理和高效的故障處理，保障測量設(shè)備的穩(wěn)定性與測量...

2025-08-11 標簽：測量設(shè)備碳化硅 433 0

碳化硅襯底 TTV 厚度測量方法的優(yōu)劣勢對比評測

摘要本文對碳化硅襯底 TTV 厚度測量的多種方法進行系統(tǒng)性研究，深入對比分析原子力顯微鏡測量法、光學(xué)測量法、X 射線衍射測量法等在測量精度、效率、成本...

2025-08-09 標簽：晶圓測量碳化硅 724 0

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

摘要本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測...

2025-08-08 標簽：晶圓碳化硅新啟 533 0

聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化機理及預(yù)警

摘要本文圍繞半導(dǎo)體晶圓研磨工藝，深入剖析聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化關(guān)系，探究其退化機理，并提出相應(yīng)的預(yù)警方法，為保障晶圓研磨質(zhì)量...

2025-08-05 標簽：晶圓碳化硅新啟 551 0

一文探究SiC MOSFET的短路魯棒性

SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢，在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而，SiC MOSFET面臨的...

2025-08-04 標簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 2.5k 0

梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備及其對晶圓 TTV 均勻性的提升

摘要本文聚焦半導(dǎo)體晶圓研磨工藝，介紹梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備方法，深入探究其對晶圓總厚度變化（TTV）均勻性的提升作用，為提高晶圓研磨質(zhì)量提供新的技...

2025-08-04 標簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 543 0

切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測模型的協(xié)同構(gòu)建

摘要本論文圍繞超薄晶圓切割工藝，探討切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測模型的協(xié)同構(gòu)建，闡述兩者協(xié)同在保障晶圓切割質(zhì)量、提升 TTV 均勻性方面...

2025-07-31 標簽：晶圓調(diào)控系統(tǒng)碳化硅 279 0

切割液性能 - 切削區(qū)多物理場耦合對晶圓 TTV 均勻性的影響及調(diào)控

摘要：本文針對晶圓切割過程，研究切割液性能與切削區(qū)多物理場耦合作用對晶圓 TTV 均勻性的影響機制，并探索相應(yīng)調(diào)控策略。通過分析切割液性能在熱、力、流等...

2025-07-29 標簽：晶圓碳化硅新啟航 248 0

工業(yè)充電器拓撲結(jié)構(gòu)選型分析

小到電動工具、割草機，大到叉車、托盤車及自動導(dǎo)引車等物料搬運設(shè)備，電池供電設(shè)備正日益成為工業(yè)和建筑領(lǐng)域的理想選擇。

2025-07-28 標簽：充電器安森美 PFC 1.9k 0

基于納米流體強化的切割液性能提升與晶圓 TTV 均勻性控制

摘要：本文圍繞基于納米流體強化的切割液性能提升及對晶圓 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強化切割液在冷卻、潤滑、排屑等性能方面的提升機制，分析...

2025-07-25 標簽：晶圓碳化硅新啟航 294 0

切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機制與參數(shù)設(shè)計

摘要：本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機制，探索實現(xiàn)多性能協(xié)同...

2025-07-24 標簽：晶圓碳化硅 372 0

切割深度動態(tài)補償技術(shù)對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

一、引言在晶圓制造過程中，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標，直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中，受切削力、振動、刀具磨損等因素...

2025-07-17 標簽：晶圓碳化硅新啟 302 0

碳化硅晶圓特性及切割要點

01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造...

2025-07-15 標簽：半導(dǎo)體材料碳化硅 695 0

基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

一、引言在半導(dǎo)體制造中，晶圓總厚度變化（TTV）均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素，而切割過程產(chǎn)生的應(yīng)力會導(dǎo)致晶圓變形，進一步惡化 TTV 均勻性...

2025-07-14 標簽：晶圓碳化硅新啟航 371 0

晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對 TTV 的影響

一、引言在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標，直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力...

2025-07-12 標簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 297 0

淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

一、引言在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標之一，直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中，易因單次切割...

2025-07-11 標簽：晶圓碳化硅新啟航 346 0

超薄晶圓切割：振動控制與厚度均勻性保障

超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時對振動更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對性的振動控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 ...

2025-07-09 標簽：晶圓切割碳化硅 366 0

基于多物理場耦合的晶圓切割振動控制與厚度均勻性提升

一、引言在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中，熱場、力場、流場等多物理場相互耦合，引發(fā)切割振動，嚴重...

2025-07-07 標簽：晶圓碳化硅新啟 443 0

碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

一、引言碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵，其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準確性，進給參數(shù)控制切割過...

2025-07-03 標簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 344 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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