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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅 (SiC) MOSFET：為汽車電氣化的未來提供動(dòng)力

隨著人們更加注重可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟(jì)新模式，我們的居住方式、工作狀態(tài)以及使用車輛的通勤和休閑方式都在發(fā)生相應(yīng)的變化。尤其是在交通運(yùn)輸領(lǐng)域的變革，因?yàn)槲覀冃?..

2024-04-24 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅汽車 1.5k 0

APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計(jì)，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

2023-04-27 標(biāo)簽：MOSFET 電源模塊 SiC 1.5k 0

一種基于實(shí)際頻率測量的多頻方法來構(gòu)建復(fù)頻率光波

超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實(shí)現(xiàn)特征成像。

2023-08-31 標(biāo)簽：傳感器衰減器 SiC 1.5k 0

什么是碳化硅？SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些

碳化硅因其獨(dú)特的性能而被譽(yù)為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性，以及它在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。

2023-02-03 標(biāo)簽：變頻器電力電子 SiC 1.5k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面...

2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.5k 0

碳化硅mos管在進(jìn)行并聯(lián)操作時(shí)需注意的事項(xiàng)有哪些？

技術(shù)人員在進(jìn)行碳化硅MOSFET的并聯(lián)操作時(shí)，通常需要采取一些措施保障來處理可能會(huì)出現(xiàn)的問題。

2023-12-06 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器散熱器 1.5k 0

碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢

一是可以直接利用，特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域；二是它足夠多：據(jù)計(jì)算，海平面上，每平方米每天可產(chǎn)生1kW電力，如果考慮日/夜周期，入射角，季節(jié)性等因素，每天...

2023-12-13 標(biāo)簽：太陽能逆變器光伏 1.5k 0

納微半導(dǎo)體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲(chǔ)能方式

電網(wǎng)通過輸電和配電網(wǎng)絡(luò)從發(fā)電機(jī)向用戶提供電能。在美國，由于儲(chǔ)能成本高昂并且設(shè)計(jì)和運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)有限，利用電力儲(chǔ)存來支持和優(yōu)化輸配電一直受到限制。

2023-09-15 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器碳化硅 1.5k 0

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.5k 0

使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

電動(dòng)汽車（EV）車載充電機(jī)（OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動(dòng)機(jī)車等應(yīng)用中的不到 2 kW，到高端電動(dòng)汽車中的 22 kW 不等...

2022-11-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車碳化硅車載充電機(jī) 1.5k 0

碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導(dǎo)...

2023-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.5k 0

用于最高電壓等級(jí)的硅IGBT和碳化硅MOSFET

對(duì)于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)?，再到更?fù)雜的變流器

2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 晶閘管 IGBT 1.5k 0

碳化硅特色工藝模塊簡介

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光...

2024-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.5k 0

碳化硅功率器件在車載充電機(jī)OBC中的應(yīng)用2

OBC作為新能源汽車的核心部件之一，其效率、功率密度等參數(shù)對(duì)新能源汽車充電時(shí)間和續(xù)航里程具有一定影響。在保證系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性的前提下，更高的功...

2023-02-03 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅 OBC 1.5k 0

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfs...

2025-02-19 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 碳化硅 1.5k 0

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測量中的各向異性效應(yīng)及其修正算法

一、引言碳化硅（SiC）憑借優(yōu)異的物理化學(xué)性能，成為功率半導(dǎo)體器件的核心材料?？偤穸绕睿═TV）作為衡量 SiC 襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其精確測量對(duì)器...

2025-09-16 標(biāo)簽：晶圓厚度測量碳化硅 1.5k 0

光伏板碳化硅二極管怎么選

選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。

2024-09-29 標(biāo)簽：二極管光伏系統(tǒng)碳化硅 1.5k 0

碳化硅VJFET的動(dòng)態(tài)電路模型設(shè)計(jì)

在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導(dǎo)體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導(dǎo)體是市場上最先進(jìn)的半導(dǎo)體之一。

2023-08-29 標(biāo)簽：電容器 SCR VHDL語言 1.5k 0

碳化硅功率器件的可靠性分析方法和過程

碳化硅功率器件的可靠性是指該器件在正常工作條件下，能夠持續(xù)穩(wěn)定地提供所需的功率，并且不會(huì)出現(xiàn)故障或失效的可能性。

2023-02-19 標(biāo)簽：功率器件可靠性分析碳化硅 1.5k 0

碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

2023-09-24 標(biāo)簽：封裝技術(shù)BGA 功率器件 1.5k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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