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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2688個(gè) 瀏覽：51575次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      探討蔚來全域900V高壓架構(gòu)的技術(shù)儲(chǔ)備

      探討蔚來全域900V高壓架構(gòu)的技術(shù)儲(chǔ)備

      新一代900V高性能電驅(qū)平臺(tái)采用自研面向900V的碳化硅電驅(qū)平臺(tái)，雙電機(jī)冗余設(shè)計(jì)保證了在惡劣天氣和濕滑路面上的穩(wěn)定行駛，后永磁同步電機(jī)在體積更小的情況下...

      2023-12-26 標(biāo)簽：永磁同步電機(jī)DC-DC碳化硅 1.8k 0

      碳化硅(SiC)應(yīng)用改變汽車行業(yè)

      碳化硅(SiC)應(yīng)用改變汽車行業(yè)

      電動(dòng)汽車的成功與高效率的實(shí)現(xiàn)密切相關(guān)。在電動(dòng)汽車中，效率在滿載條件下（通常，當(dāng)負(fù)載>90%時(shí)）達(dá)到其最大潛力。在城市駕駛中，負(fù)載可以降低到10%，...

      2023-05-31 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器碳化硅 1.8k 0

      分析寬帶隙半導(dǎo)體的計(jì)算模型

      分析寬帶隙半導(dǎo)體的計(jì)算模型

      了解半導(dǎo)體價(jià)帶和導(dǎo)帶的形成機(jī)制對于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項(xiàng)工作提出了一種寬帶隙計(jì)算模型，突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難，然后將其與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)...

      2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體計(jì)算模型碳化硅 1.8k 0

      碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)中的研究

      我國擁有世界最大的汽車消費(fèi)市場,為堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展基本國策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟(jì)的電動(dòng)汽車[1]?車主因擔(dān)心駕駛電動(dòng)汽車突然沒電引起的焦慮問題主要有...

      2023-04-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET功率器件 1.8k 0

      大面積燒結(jié)的進(jìn)步提高了功率模塊的性能

      大面積燒結(jié)的進(jìn)步提高了功率模塊的性能

      以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高，碳化...

      2023-11-21 標(biāo)簽：SiC氮化鎵功率模塊 1.8k 0

      碳化硅功率器件及其發(fā)展現(xiàn)狀！

      碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

      2022-12-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1.8k 0

      中科院物理研究所實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅生長的突破

      從6寸把它發(fā)展到8寸，這樣在襯底上做出來的器件，就可以降低單個(gè)器件的襯底所占的成本，這是一個(gè)國際上發(fā)展的趨勢。

      2023-02-03 標(biāo)簽：晶圓SiC碳化硅 1.8k 0

      分布式光伏發(fā)電逆變器的碳化硅應(yīng)用案例

      分布式光伏發(fā)電逆變器的碳化硅應(yīng)用案例

      消費(fèi)者、各行業(yè)及政府都在采取各項(xiàng)措施以增加對可再生能源的利用，這正在將發(fā)電和輸配電系統(tǒng)從中心化的電網(wǎng)轉(zhuǎn)換成更加智能化網(wǎng)格化的，支持本地發(fā)電的拓?fù)?，并通過...

      2020-12-14 標(biāo)簽：光伏發(fā)電分布式碳化硅 1.8k 0

      傾佳電子技術(shù)報(bào)告：基本半導(dǎo)體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)潛力評(píng)估

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      傾佳電子技術(shù)報(bào)告：基本半導(dǎo)體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)潛力評(píng)估 傾佳電子（Changer Tech）是一家專...

      2025-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅SiC模塊 1.8k 0

      SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢？

      SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢？

      始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料，其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。

      2023-08-23 標(biāo)簽：MOSFET電阻器IGBT 1.7k 0

      基本半導(dǎo)體榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

      深圳本土第三代半導(dǎo)體科創(chuàng)企業(yè)——深圳基本半導(dǎo)體有限公司旗下車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊（BMB200120P1）榮獲優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。

      2019-10-30 標(biāo)簽：中國芯電機(jī)控制器碳化硅 1.7k 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

      碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

      2024-08-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.7k 0

      SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢

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      SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...

      2024-12-05 標(biāo)簽：晶體管功率器件SiC 1.7k 0

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      如今碳化硅陶瓷基板，在功率模塊下高溫汽車逆變器應(yīng)用中提供出色的熱性能和高可靠性。與傳統(tǒng)的引線鍵合功率模塊相比，卓越的開關(guān)性能降低了開關(guān)的損耗性，因此可以...

      2022-09-16 標(biāo)簽：碳化硅陶瓷基板 1.7k 0

      用于高功率密度應(yīng)用的碳化硅功率器件

      交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。

      2023-03-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.7k 0

      意法半導(dǎo)體推出雙列直插式封裝ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊

      意法半導(dǎo)體推出面向汽車應(yīng)用的32引腳、雙列直插、模制、通孔ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊。這些組件專為車載充電器 (OBC)、DC/DC...

      2023-10-26 標(biāo)簽：封裝意法半導(dǎo)體功率模塊 1.7k 0

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      隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及，電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會(huì)中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件，功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...

      2024-02-25 標(biāo)簽：晶體管功率器件碳化硅 1.7k 0

      基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動(dòng)汽車直流快充開發(fā)指南-結(jié)構(gòu)和規(guī)格

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      2023-11-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電樁碳化硅 1.7k 0

      碳化硅的極端耐用性

      碳化硅（SiC）是一種陶瓷材料，出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的，通常以單晶形式生長。其固有的材料特性，加上作為單晶生長，使其成為市場上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種...

      2023-05-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.7k 0

      碳化硅芯片供需失衡

      襯底作為SiC芯片發(fā)展的關(guān)鍵，占據(jù)著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高，而且與產(chǎn)品質(zhì)量密切相關(guān)。如果說前幾年很多SiC器件廠商都是靠...

      2023-02-03 標(biāo)簽：芯片碳化硅sic器件 1.7k 0

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        PFM
        +關(guān)注
        壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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