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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優(yōu)異的性能指標;CG2H800...
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡潔的33W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM?反激式控制器。該...
芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產品
2023年11月10日,溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學家峰會上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應用的850V Cynthus?系...
CNBC專訪納微半導體:全球首家針對電動汽車的氮化鎵功率芯片設計中心展望及新聞稿
美西時間2月4日,納微半導體再次接受CNBC專訪。CEO Gene Sheridan在采訪中表示,電動汽車是納微下一個目標市場。
中國上海,2016年2月24日- 領先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導體產品供應商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應用于宏基站的MAGb系列氮化鎵...
Nexperia斥資2億美元,布局未來寬禁帶半導體產業(yè)
在全球電氣化和數(shù)字化浪潮不斷加速的今天,半導體技術作為其核心驅動力,正迎來前所未有的發(fā)展機遇。近日,全球知名半導體制造商Nexperia(安世半導體)宣...
英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵半導體優(yōu)化無線充電功率
全球領先的功率系統(tǒng)與物聯(lián)網半導體供應商英飛凌科技股份公司(股票代碼:FSE: IFX, OTCQX: IFNNY)近期宣布與加拿大企業(yè)AWL-Elect...
2023年12月15日,中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬...
OPPO作為快充行業(yè)的先行者,一直引領著智能手機的快充市場,最早期的VOOC閃充“充電五分鐘,通話兩小時”深入人心,演進自SuperVOOC架構的125...
近日,青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司(以下簡稱“聚能創(chuàng)芯”)完成了一項重大里程碑,成功募集1.7億元人民幣的A輪融資。這一重要融資不僅為聚能創(chuàng)芯的快速發(fā)展注...
Soitec將EpiGaN N.V更名為Soitec Belgium N.V. ,拓展用于5G射頻和功率系統(tǒng)產品組合
中國 / 法國貝寧,2020年7月14日創(chuàng)新半導體材料設計和生產的全球領軍企業(yè),法國Soitec半導體公司近日宣布將EpiGaN N.V更名為Soite...
用 Hercules 開發(fā)套件來控制 GaN 功率級——第 2 部分
在我的上一篇博文中,我為大家介紹了一個動手操作項目:用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules 微控制器和一個滾輪來調節(jié)一盞燈的亮度。我講到...
大功率器件氮化鎵芯片系列產品KT65C1R070D、KT65C1R120D
Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后;最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片,K...
有報道稱,兩年前,第三代半導體概念曾成為市場熱點,不僅中國大陸股市大幅上漲,還推動臺灣地區(qū)同類企業(yè)股價攀升。然而,近兩年來,美臺相關企業(yè)業(yè)績表現(xiàn)與預期相去甚遠。
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導體材料,是第三代半導體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
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