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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件資訊

國產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容升壓方案取代2000V器件兩電平方案

國產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容升壓方案取代2000V器件兩電平方案

國產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容MPPT方案取代2000V器件兩電平升壓方案 一、飛跨電容三電平技術(shù)的專利歸屬與特色 1. 專利歸屬:中國企業(yè)主導(dǎo)核心技術(shù)...

2025-03-06 標(biāo)簽:功率器件碳化硅飛跨電容 782 0

上海貝嶺亮相中國國際新能源汽車技術(shù)零部件及服務(wù)展覽會(huì)

日前,中國國際新能源汽車技術(shù)、零部件及服務(wù)展覽會(huì)在首都國際會(huì)展中心(北京新國展二期)盛大開幕!本次展會(huì)為期4天,20000㎡展覽面積、20000+專業(yè)觀...

2025-03-04 標(biāo)簽:新能源汽車功率器件上海貝嶺 833 0

士蘭微廈門 8 英寸碳化硅功率器件產(chǎn)線(一期)封頂:力爭明年一季度投產(chǎn)

3 月 3 日消息,國內(nèi)功率半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)士蘭微電子今日宣布,其投資 70 億元建設(shè)的廈門海滄區(qū) 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生產(chǎn)線(...

2025-03-03 標(biāo)簽:士蘭微功率器件碳化硅 745 0

長電科技三大技術(shù)提供散熱解決方案

長電科技三大技術(shù)提供散熱解決方案

大規(guī)模AI部署的浪潮下,高算力服務(wù)器、數(shù)字基建等大型應(yīng)用需要大量千瓦級(jí)乃至兆瓦級(jí)的功率器件,而AI手機(jī)、AI PC等端側(cè)產(chǎn)品滲透率的提升,又對(duì)微型化的功...

2025-03-03 標(biāo)簽:功率器件熱管理長電科技 730 0

龍騰半導(dǎo)體加速功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)

公司副總裁張欣女士表示,2025年隨著結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能的進(jìn)一步釋放,公司預(yù)計(jì)全年產(chǎn)能同比增速有望突破300%,以滿足市場(chǎng)對(duì)高質(zhì)量半導(dǎo)體硅外延片的迫切需求。

2025-02-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件 902 0

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體...

2025-02-26 標(biāo)簽:MOSFET功率器件碳化硅 1.1k 0

BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)隔離供電的性價(jià)比最優(yōu)解

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在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢(shì)中,驅(qū)動(dòng)隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素?;景雽?dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F ...

2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFET功率器件碳化硅 1.2k 0

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場(chǎng)景上的優(yōu)勢(shì),使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...

2025-03-01 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵碳化硅 759 0

碳化硅行業(yè)觀察:2025年SiC功率器件廠商大洗牌

2025年碳化硅(SiC)功率器件設(shè)計(jì)公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢(shì),其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場(chǎng)需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績...

2025-02-26 標(biāo)簽:芯片功率器件SiC 1k 0

碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用

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隨著全球能源需求的快速增長和對(duì)可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料...

2025-02-25 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.3k 0

國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

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碳化硅行業(yè)觀察:國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)雖高速增長,但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來...

2025-02-24 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 783 0

華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品

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引言 在新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域,高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心。華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品—HGW75N65S2HEM與H...

2025-02-22 標(biāo)簽:新能源IGBT功率器件 1.2k 0

納微半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),...

2025-02-21 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換功率器件納微半導(dǎo)體 748 0

東芝S-TOGL封裝賦能車載MOSFET性能提升

全球范圍內(nèi),綠色低碳的浪潮正以不可阻擋之勢(shì)席卷各個(gè)行業(yè)。其中,汽車行業(yè)所受影響尤為深遠(yuǎn)。在這場(chǎng)電氣化轉(zhuǎn)型的洪流中,車載MOSFET作為汽車電子系統(tǒng)的核心...

2025-02-15 標(biāo)簽:MOSFET東芝封裝 1.2k 0

深矽微:功率器件封裝項(xiàng)目即將投產(chǎn),預(yù)計(jì)年產(chǎn)值3億元

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近日,巴中市發(fā)展和改革委員會(huì)發(fā)布消息稱,位于巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期的功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng),搭建、焊接、調(diào)試等工序緊鑼密鼓地進(jìn)行著。 據(jù)了...

2025-02-11 標(biāo)簽:封裝功率器件 609 0

中國成功在太空驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料功率器件

近日,中國在太空成功驗(yàn)證了首款國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代,為中國航天事業(yè)以及相關(guān)...

2025-02-11 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 1.1k 0

國產(chǎn)功率器件突圍戰(zhàn):仁懋電子TOLL封裝如何改寫行業(yè)格局?

國產(chǎn)功率器件突圍戰(zhàn):仁懋電子TOLL封裝如何改寫行業(yè)格局?

在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等萬億級(jí)賽道爆發(fā)的當(dāng)下,國產(chǎn)功率器件的"卡脖子"困境正被打破。作為國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè),仁懋電子憑...

2025-02-08 標(biāo)簽:封裝功率器件仁懋電子 1k 0

英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的...

2025-02-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 725 0

國產(chǎn)首款!成功驗(yàn)證

來源:新華網(wǎng) 我國在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。...

2025-02-05 標(biāo)簽:功率器件SiC 453 0

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。

2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 1.3k 0

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    工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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     Windows Embedded Compact(即 Windows CE)是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ),它是一個(gè)開放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng),是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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