士蘭微廈門 8 英寸碳化硅功率器件產(chǎn)線（一期）封頂：力爭明年一季度投產(chǎn)
3 月 3 日消息，國內(nèi)功率半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)士蘭微電子今日宣布，其投資 70 億元建設(shè)的廈門海滄區(qū) 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生產(chǎn)線（一期）已于 2 月 28 日全面封頂。
士蘭微表示該企業(yè)最大努力爭取在今年年底實現(xiàn)一期生產(chǎn)線的初步通線，明年一季度投產(chǎn)，到 2028 年底最終形成年產(chǎn) 42 萬片 8 英寸碳化硅功率器件芯片（晶圓）的生產(chǎn)能力。
士蘭微廈門 8 英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線還包含投資規(guī)模達 50 億元的第二期，兩期合計生產(chǎn)能力可達每年 72 萬片 8 英寸碳化硅功率器件芯片（晶圓）。
來源：IT之家
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