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仁懋電子

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仁懋電子技術(shù)

選型手冊(cè)：MOT7N65AC 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AC是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、高開關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛...

2025-10-30 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 153 0

選型手冊(cè)：MOT4N65D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65D是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣...

2025-10-30 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管仁懋電子 123 0

選型手冊(cè)：MOT130N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT130N03D是一款面向低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及130A大電流承載能力...

2025-10-30 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 89 0

選型手冊(cè)：MOT5N65C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65C是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣...

2025-10-29 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 397 0

選型手冊(cè)：MOT20200D 系列肖特基勢壘整流二極管

仁懋電子（MOT）推出的MOT20200D是一款面向高壓大電流整流場景的肖特基勢壘二極管，憑借20A連續(xù)電流承載能力、200V反向耐壓及低正向壓降特性，...

2025-10-29 標(biāo)簽：二極管 MOS 仁懋電子 114 0

選型手冊(cè)：MOT6525G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6525G是一款面向低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、30A大電流承載能力及緊湊貼片封裝，廣...

2025-10-29 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 67 0

選型手冊(cè)：MOT65R380D 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉(zhuǎn)換場景的N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于...

2025-10-29 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 68 0

選型手冊(cè)：MOT1514G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT1514G是一款面向低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì)，廣泛適用...

2025-10-29 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 73 0

選型手冊(cè)：MOT30100D 系列肖特基勢壘整流二極管

仁懋電子（MOT）推出的MOT30100D是一款面向大電流整流場景的肖特基勢壘二極管，憑借30A連續(xù)電流承載能力、100V反向耐壓及低正向壓降特性，廣泛...

2025-10-28 標(biāo)簽：二極管 MOS 仁懋電子 63 0

選型手冊(cè)：MBR20150A 系列肖特基勢壘整流二極管

仁懋電子（MOT）推出的MBR20150A是一款面向大電流整流場景的肖特基勢壘二極管，憑借20A連續(xù)電流承載能力、150V反向耐壓及低正向壓降特性，廣泛...

2025-10-28 標(biāo)簽：二極管 MOS 仁懋電子 63 0

選型手冊(cè)：MOT4N70C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4N70C是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借700V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛...

2025-10-28 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 632 0

選型手冊(cè)：MOT50N06D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N06D是一款面向低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借60V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性，廣泛適...

2025-10-28 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 593 0

選型手冊(cè)：MOT5N50C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50C是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借500V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛...

2025-10-28 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 253 0

選型手冊(cè)：MOT3140G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3140G是一款面向低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì)，廣泛適...

2025-10-27 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 83 0

選型手冊(cè)：MOT7N70D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性，廣泛適用于高效...

2025-10-27 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 MOS 76 0

MOT6586T N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT6586T是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用TOLL-8L表面貼裝封裝，基于超級(jí)溝槽（SuperTrench）工...

2025-10-27 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 105 0

MOT4162G N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT4162G是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN506-8L封裝形式，聚焦電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)、電池管理等場景，以...

2025-10-27 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 111 0

MOT1514J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，聚焦計(jì)算設(shè)備電源管理、快速/無線充...

2025-10-24 標(biāo)簽：MOS MOT 仁懋電子 391 0

MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PW...

2025-10-24 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 420 0

MBR10200A 肖特基勢壘整流器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MBR10200A是仁懋電子（MOT）推出的10A肖特基勢壘整流器，具備低正向壓降、高浪涌電流容量等技術(shù)特性，適配TO-220、TO-220...

2025-10-24 標(biāo)簽：整流器 MOS 仁懋電子 113 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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