仁懋電子

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仁懋電子技術(shù)

選型手冊(cè)：MOT4025G 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET

仁懋電子（MOT）推出的MOT4025G是一款互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道管，憑借40V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異開(kāi)關(guān)特性，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、...

2025-11-04 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 176 0

選型手冊(cè)：MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性，廣泛適用于...

2025-11-04 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 52 0

選型手冊(cè)：MOT13005DA NPN 硅晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT13005DA是一款NPN硅晶體管，憑借400V高耐壓、8A大電流及1700V擊穿能力，廣泛適用于熒光燈、電子變壓器、開(kāi)關(guān)...

2025-11-04 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 56 0

選型手冊(cè)：MOT9N50D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛...

2025-11-04 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 59 0

選型手冊(cè)：MBR10200F 肖特基勢(shì)壘整流二極管

仁懋電子（MOT）推出的MBR10200F是一款10A規(guī)格的肖特基勢(shì)壘整流二極管，憑借200V耐壓、低正向壓降及高浪涌電流特性，適用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、...

2025-11-03 標(biāo)簽：二極管 MOS 仁懋電子 409 0

選型手冊(cè)：MOT10150D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT10150D是一款面向中低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及優(yōu)異開(kāi)關(guān)特性，適...

2025-11-03 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 362 0

選型手冊(cè)：MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開(kāi)關(guān)特...

2025-11-03 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 338 0

選型手冊(cè)：MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣...

2025-11-03 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 128 0

選型手冊(cè)：MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力...

2025-10-31 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 52 0

選型手冊(cè)：MOT5122T 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力...

2025-10-31 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 57 0

選型手冊(cè)：MOT70R280D 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借700V級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)...

2025-10-31 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 48 0

選型手冊(cè)：MOT65R600F 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正...

2025-10-31 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 60 0

選型手冊(cè)：MOT15N50HF 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50HF是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，...

2025-10-31 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 60 0

選型手冊(cè)：MOT8N65MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT8N65MD是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、高開(kāi)關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛...

2025-10-30 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 136 0

選型手冊(cè)：MOT5N65D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣...

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選型手冊(cè)：MOT7N65AC 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AC是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、高開(kāi)關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛...

2025-10-30 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 149 0

選型手冊(cè)：MOT4N65D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣...

2025-10-30 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管仁懋電子 112 0

選型手冊(cè)：MOT130N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT130N03D是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及130A大電流承載能力...

2025-10-30 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 89 0

選型手冊(cè)：MOT5N65C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65C是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣...

2025-10-29 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 390 0

選型手冊(cè)：MOT20200D 系列肖特基勢(shì)壘整流二極管

仁懋電子（MOT）推出的MOT20200D是一款面向高壓大電流整流場(chǎng)景的肖特基勢(shì)壘二極管，憑借20A連續(xù)電流承載能力、200V反向耐壓及低正向壓降特性，...

2025-10-29 標(biāo)簽：二極管 MOS 仁懋電子 109 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷(xiāo)售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無(wú)線(xiàn)與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱(chēng)為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開(kāi)發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶(hù)多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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特斯拉線(xiàn)圈又叫泰斯拉線(xiàn)圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門(mén)電路，它滿(mǎn)足與非門(mén)的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門(mén)的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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