超高頻無(wú)源RFID 標(biāo)簽（UHF Passive RFIDTag）是指工作頻率 在300M~3GHz 之間的超高頻頻段內(nèi)，無(wú)外接電源供電的RFID 標(biāo)簽。這種超高頻無(wú)源RFID 標(biāo)簽由于其工作頻率高，可讀寫(xiě)距離長(zhǎng)，無(wú)需外部電 源，制造成本低，目前成為了RFID 研究的重點(diǎn)方向之一，有可能成為在不久的將來(lái)RFID 領(lǐng)域的主流產(chǎn)品。

　　對(duì)于 UHF 頻段RFID 標(biāo)簽的研究，國(guó)際上許多研究單位已經(jīng)取得了一些出色的成果。例如，Atmel 公司在JSSC 上發(fā)表了最小RF 輸入功率可低至 16.7μW的UHF 無(wú)源RFID 標(biāo)簽。這篇文章由于其超低的輸入功率，已經(jīng)成為RFID 標(biāo)簽設(shè)計(jì)的一篇經(jīng)典文章，被多次引用。在 2005 年，JSSC 發(fā)表了瑞士聯(lián)邦技術(shù)研究院設(shè)計(jì)的一款最小輸入功率僅為2.7μW，讀寫(xiě)距離可達(dá)12m 的2.45G RFID 標(biāo)簽芯片。在超 小、超薄的RFID 標(biāo)簽設(shè)計(jì)上，日本日立公司在2006年ISSCC 會(huì)議上提出了面積僅為0.15mm×0.15mm，芯片厚度僅為.5μm 的 RFID 標(biāo)簽芯片。國(guó)內(nèi)在RFID 標(biāo)簽領(lǐng)域的研究，目前與國(guó)外頂尖的科研成果還有不小的差距，需要國(guó)內(nèi)科研工作者加倍的努力。

　　如圖1 所示，一個(gè)完整超高頻無(wú)源RFID 標(biāo)簽由天線和標(biāo)簽芯片兩部分組成，其中，標(biāo)簽芯片一般包括以下幾部分電路：電源恢復(fù)電路、電源穩(wěn)壓電路、反向散射調(diào)制電路、解調(diào)電路、時(shí)鐘提取/產(chǎn)生電路、啟動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生電路、參考源產(chǎn)生電路、控制單元、存儲(chǔ)器。

　　無(wú)源RFID 標(biāo)簽芯片工作時(shí)所需要的能量完全來(lái)源于讀卡器產(chǎn)生的電磁波的能量，因此，電源恢復(fù)電路需要將標(biāo)簽天線感應(yīng)出的超高頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為芯片工作需要的直流電壓，為芯片提供能量。