--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 驅(qū)動(dòng)配置 高邊
- 驅(qū)動(dòng)通道數(shù) 1
- 負(fù)載類(lèi)型 MOSFET/IGBT
- 是否隔離 非隔離
- Vin Max 600V
- Vcc Max 10V-20V
- IO-/IO+ 600mA/290mA
- Inputs IN*
- Deadtime none
- ton/toff 125ns/105ns
- tr/tf 75ns/35ns
- Package SOIC8
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
TF2118(M)是高壓、高速的門(mén)驅(qū)動(dòng)器,能夠在引導(dǎo)操作中驅(qū)動(dòng)一個(gè)n通道MOSFETs和IGBTs。TF半導(dǎo)體公司的高壓工藝使TF2118(M)和能夠在600V下切換。TF2118(M)和邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)CMOS輸出(至3.3V)兼容。驅(qū)動(dòng)器輸出的特點(diǎn)是高脈沖電流緩沖器設(shè)計(jì)為最小的驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。單浮式通道可用于高側(cè)或低側(cè)配置。
TF2118-TAH采用的是SOIC-8的封裝.主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)椋弘姵毓芾硐到y(tǒng)/DC‐DC/開(kāi)關(guān)電源等行業(yè)
TF2118-TAH可完美替代兼容 IRS2118STRPBF,IR2118STRPBF 。

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                  上傳時(shí)間:2023-06-21 10:392次下載
 
		 
		