--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類(lèi)型 N溝道
- 額定電壓 60V
- 最大持續(xù)電流 40A
- 導(dǎo)通電阻 23mΩ @ 10V
- 門(mén)源電壓范圍 20V(正負(fù))
- 閾值電壓 1.9V
- 封裝 TO263
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào) BUK7675-55A-VB
絲印 VBL1632
品牌 VBsemi
參數(shù)
類(lèi)型 N溝道
額定電壓(Vds) 60V
最大持續(xù)電流(Id) 40A
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) 23mΩ @ 10V
門(mén)源電壓范圍(Vgs) 20V(正負(fù))
閾值電壓(Vth) 1.9V
封裝 TO263
應(yīng)用簡(jiǎn)介
BUK7675-55A-VB是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),適用于需要高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻的電子應(yīng)用。它在電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制、電池管理等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. 類(lèi)型 這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正向電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類(lèi)型的MOSFET通常用于需要正向電壓操作的電路中。
2. 額定電壓(Vds) 它可以承受的最大漏極-源極電壓為60V。這表示它可以在相對(duì)高電壓條件下工作。
3. 最大持續(xù)電流(Id) 這款MOSFET的最大電流承受能力為40A。這使其能夠處理高電流負(fù)載。
4. 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門(mén)源電壓下,它的RDS(ON)為23mΩ,表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗非常低。
5. 門(mén)源電壓范圍(Vgs) MOSFET的門(mén)源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來(lái)控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. 閾值電壓(Vth) 這款MOSFET的閾值電壓為1.9V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門(mén)源電壓。
7. 封裝 這款MOSFET采用TO263封裝,這是一種常見(jiàn)的功率封裝類(lèi)型,適用于高功率電子應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域
BUK7675-55A-VB這款MOSFET適用于多種需要高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻的電子模塊和設(shè)備,包括但不限于以下領(lǐng)域模塊
1. 電源開(kāi)關(guān) 可用于高電流電源開(kāi)關(guān),如電壓轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定。
2. 電機(jī)控制 在電機(jī)控制器中用于控制電機(jī)的速度和方向,特別是用于工業(yè)電機(jī)。
3. 電池管理 可用于電池充電和放電管理,以確保安全和高效的電池使用。
4. 高電流負(fù)載開(kāi)關(guān) 用于高電流負(fù)載的通斷控制,如電動(dòng)工具、電焊機(jī)和電動(dòng)車(chē)輛。
5. 電源管理 在需要高電流開(kāi)關(guān)和電流控制的電源管理電路中使用,如工業(yè)控制系統(tǒng)。
總之,這款N溝道MOSFET適用于需要高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻的電子模塊和設(shè)備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在高功率和高電流應(yīng)用中。
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