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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMP3028LSD 雙 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMP3028LSD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP3028LSD
  • 名稱(chēng) 雙 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SO-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP3028LSD

 
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP3028LSD  這款新一代 30V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 RDS(on),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。該器件非常適合電池負(fù)載切換。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMP3028LSD
名稱(chēng)                  雙 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  SO-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 38 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22 nC
CISS Typ (pF) 1241 pF


主要特征
低 RDS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
小外形熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)
更高密度的最終產(chǎn)品
100% 非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān) – 確保更高的可靠性


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