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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN4036LK3 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN4036LK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN4036LK3
  • 名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO252-3L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN4036LK3 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN4036LK3 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(打開(kāi))),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN4036LK3
名稱(chēng)                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                TO252-3L

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8.5 A
PD @TA = +25°C (W) 4.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 36 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 61 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 9.2 nC
CISS Typ (pF) 453 pF

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
切換速度快

 

相關(guān)型號(hào)
DMN4036LK3
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DMN53D0U
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