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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN4030LK3 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMN4030LK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN4030LK3
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TO252

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN4030LK3 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN4030LK3 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通狀態(tài)電阻RDS(ON))同時(shí)保持優(yōu)異的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN4030LK3
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                TO252

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.6 A
PD @TA = +25°C (W) 4.18 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 30 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 50 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 12.9 nC
CISS Typ (pF) 604 pF

 

主要特征
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)速度快

 

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