DMN4020LFDEQ 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管汽車(chē)款

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN4020LFDEQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN4020LFDEQ
名稱(chēng) 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6 (Type E)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN4020LFDEQ 這種MOSFET的設(shè)計(jì)滿(mǎn)足汽車(chē)應(yīng)用。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，并由 PPAP 支持。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN4020LFDEQ
名稱(chēng) 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6 (Type E)

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 21 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.3 nC
CISS Typ (pF) 1201 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V

主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積為 4mm2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻

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