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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN4010LK3 N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN4010LK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN4010LK3
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TO252-3L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN4010LK3 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN4010LK3 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是最大限度地降低狀態(tài)電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的開關(guān)性能,是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN4010LK3
名稱                N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                TO252-3L  

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.9 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 39 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 14.5 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37 nC
CISS Typ (pF) 1810 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V

 

主要特征
低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸熱效封裝,實現(xiàn)更高
密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8占用的板面積的33%
較小的最終產(chǎn)品

 

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