產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN39M1LFVW 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN39M1LFVW
名稱 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 87 A
PD @TA = +25°C (W) 2.7 W
PD @TC = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7.4 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40 nC
CISS Typ (pF) 2387 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低 R DS(ON) – 確保導(dǎo)通狀態(tài)損耗最小化
小尺寸熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
相關(guān)型號(hào)
DMN33D8LV
DMN33D8LVQ
DMN33D9LV
DMN3401LDW
DMN3401LDWQ
DMN3401LV
DMN3401LVQ
DMN3404L
DMN3730UFB
DMN3730UFB4
DMN3731U
DMN3731UFB4
DMN3732UFB4
DMN3732UFB4Q
DMN3900UFA
DMN39M1LFVW
DMN39M1LK3
DMN4008LFG
DMN4010LFG
DMN4010LK3
DMN4020LFDE
DMN4020LFDEQ
DMN4026SK3
DMN4026SSD
DMN4027SSD
DMN4030LK3
DMN4030LK3Q
DMN4034SSD
DMN4034SSS
DMN4034SSSQ
