產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN31D5UFZ 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN31D5UFZ
名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 X2-DFN0606-3
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.22 A
PD @TA = +25°C (W) 0.39 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 3000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.35 nC
CISS Typ (pF) 22.2 pF
主要特征
低封裝外形，最大封裝高度0.42mm
0.62mm x 0.62mm封裝外形
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓，最大1.0V
ESD保護(hù)門
相關(guān)型號(hào)
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DMN31D5L
DMN31D5UDA
DMN31D5UDAQ
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DMN31D5UFZQ
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DMN32D2LDF
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DMN33D8LDW
DMN33D8LDWQ
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DMN33D8LTQ
DMN33D8LV
DMN33D8LVQ
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