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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN3021LFDF 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN3021LFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3021LFDF
  • 名稱(chēng) 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3021LFDF  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3021LFDF 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3021LFDF
名稱(chēng)                30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 20 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14 nC
CISS Typ (pF) 706 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積 4mm 2
低柵極閾值電壓
開(kāi)關(guān)速度快

 

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