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DMN3018SFG 30V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN3018SFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN3018SFG
  • 名稱 30V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3018SFG

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3018SFG 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN3018SFG
名稱                30V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                PowerDI3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8.5 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 21 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 35 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.2 nC
CISS Typ (pF) 697 pF


主要特征
低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸的熱效率封裝使
密度最終產(chǎn)品(PowerDI?)
僅占SO-8板面積的33%
較小的最終產(chǎn)品
ESD保護門

 

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