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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN3016LFDFQ N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管 汽車款

型號: DMN3016LFDFQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN3016LFDFQ
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3016LFDFQ

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3016LFDFQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),并由PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN3016LFDFQ
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                U-DFN2020-6

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
PD @TA = +25°C (W) 2.02 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 16 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.1 nC


主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積為 4mm2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻

 

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