DMN3016LFDE N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN3016LFDE

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN3016LFDE
名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3016LFDE 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN3016LFDE
名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
PD @TA = +25°C (W) 2.02 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 16 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.1 nC
CISS Typ (pF) 1415 pF

主要特征
0.6mm輪廓–適用于低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積4mm2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻

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