產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN22M5UFG 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON））同時(shí)保持卓越的切換性能，使其成為理想之選，用于高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN22M5UFG
名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 27 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 2.0 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2.6 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 53 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 99 nC
CISS Typ (pF) 3926 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低 RDS(ON) – 確保導(dǎo)通狀態(tài)損耗最小化
小尺寸、高熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測(cè)試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
相關(guān)型號(hào)
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DMN22M5UFG
