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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN2050LQ 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2050LQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2050LQ
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2050LQ 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2050LQ 這種MOSFET設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用。它符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),由
PPAP,非常適合使用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2050LQ
名稱               N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT23

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 50 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.45 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 6.7 nC
CISS Typ (pF) 532 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
29m?@VGS = 4.5V
50m?@VGS=2.5V
100m?@VGS=2.0V
極低的柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快


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