--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMN2026UVT
- 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 TSOT26
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2026UVT 這種新一代MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電(RDS(ON))并且仍然保持優(yōu)異的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN2026UVT
名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 TSOT26
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.75 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 24 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 32 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18.4 (@8V) nC
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低輸入電容
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)速度快
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