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企業(yè)號(hào)介紹

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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN2026UVT 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2026UVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2026UVT
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2026UVT 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2026UVT 這種新一代MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電(RDS(ON))并且仍然保持優(yōu)異的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2026UVT
名稱               N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.75 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 24 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 32 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18.4 (@8V) nC
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低輸入電容
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)速度快


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