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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2024UFDF 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMN2024UFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2024UFDF
  • 名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type F)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2024UFDF 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2024UFDF 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2024UFDF
名稱               20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               U-DFN2020-6 (Type F)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.67 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 26 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 36 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14.8 nC
CISS Typ (pF) 647 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
0.6 毫米輪廓 - 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積為 4mm2
低柵極閾值電壓
開關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極


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