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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN2016UFX 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2016UFX

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2016UFX
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 V-DFN2050-4

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2016UFX 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2016UFX 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
通用接口交換機(jī)
電源管理功能

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2016UFX
名稱               雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               V-DFN2050-4

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 24 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.23 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 20 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14 nC
CISS Typ (pF) 950 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
靜電放電保護(hù)


相關(guān)型號(hào)
DMN2005UFG
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