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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN1025UFDB 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMN1025UFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN1025UFDB
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN1025UFDB 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN1025UFDB這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMN1025UFDB
名稱            N溝道MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝             U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 30 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 38 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 23.1 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 917 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
薄型,最大高度0.6mm
ESD保護(hù)門


相關(guān)型號
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