--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMN1019UVT
- 名稱 N溝道MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 TSOT26
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN1019UVT這這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低現(xiàn)場(chǎng)電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能性能,使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN1019UVT
名稱 N溝道MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 TSOT26
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.73 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 14 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 28 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 50.4 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 2588 pF
主要特征
低導(dǎo)通電阻
ESD保護(hù)門
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