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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN1008UFDF 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN1008UFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN1008UFDF
  • 名稱 12V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN1008UFDF 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN1008UFDF這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMN1008UFDF
名稱            12V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝             U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 12.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 12.5 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 13.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 23.4 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 995 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V


主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積 4mm 2
低柵極閾值電壓
開(kāi)關(guān)速度快


相關(guān)型號(hào)
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