--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMG7430LFGQ
- 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 PowerDI3333-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG7430LFGQ 這種MOSFET設(shè)計用于滿足汽車應(yīng)用。它符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),由PPAP,非常適合用于:
電機控制
電源管理功能
DC-DC轉(zhuǎn)換器
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMG7430LFGQ
名稱 N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.5 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 26.7 nC
CISS Typ (pF) 1281 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低 RDS(ON) – 確保最小化狀態(tài)損失
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān),生產(chǎn)測試 – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%,從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
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