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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMG6402LVT 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMG6402LVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMG6402LVT
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG6402LVT 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG6402LVT 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMG6402LVT
名稱            N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            TSOT26

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.75 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 30 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 42 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.4 nC
CISS Typ (pF) 498 pF


主要特征
低輸入電容
低導(dǎo)通電阻
快速切換速度


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