LMG1205設計用于同步降壓，升壓或半同步驅動高側和低側增強型氮化鎵（GaN）FET - 橋梁配置。該器件具有集成的100V自舉二極管和獨立輸入，用于高端和低端輸出，以實現(xiàn)最大的控制靈活性。使用自舉技術產生高側偏置電壓，并在內部鉗位至5 V，這可防止柵極電壓超過增強型GaN FET的最大柵極 - 源極電壓額定值。 LMG1205的輸入兼容TTLlogic，無論VDD電壓如何，均可承受高達14 V的輸入電壓。 LMG1205具有分柵輸出，可獨立調節(jié)開啟和關斷強度。

此外，LMG1205的強吸收能力可將柵極維持在低態(tài)，從而防止在開關過程中意外接通。 LMG1205可以工作在幾MHz .LMG1205采用12引腳DSBGA封裝，占板面積小，封裝電感最小。