動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  基于改進(jìn)傳輸線法（TLM）的金屬 - 氧化鋅半導(dǎo)體界面電阻分析

  

  傳輸線方法（TLM）作為常見的電阻測量技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中溝道電阻與接觸電阻的提取。傳統(tǒng)的TLM模型基于理想歐姆接觸假設(shè)，忽略了界面缺陷、勢壘等非理想因素引入的界面電阻，尤其在氧化物半導(dǎo)體如氧化鋅中，這一簡化可能導(dǎo)致關(guān)鍵參數(shù)的顯著偏差。ZnO因其寬禁帶、高激子結(jié)合能等特性，在薄膜晶體管、傳感器和存儲器等器件中具有重要應(yīng)用價(jià)值，其界面特性的準(zhǔn)確表征尤為

  TLM 半導(dǎo)體 電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:04

  判定高電阻率硅的導(dǎo)電類型：基于氫氟酸HF處理結(jié)合擴(kuò)展電阻SRP分析的高效無損方法

  

  高電阻率硅因其低損耗和高性能特點(diǎn)，在電信系統(tǒng)中的射頻（RF）器件應(yīng)用中備受關(guān)注。尤其是作為絕緣硅（SOI）技術(shù)的理想基板，高電阻率硅的需求日益增加。然而，確定高電阻率硅的導(dǎo)電類型（n型或p型）一直是一個挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)方法如表面光電壓（SPV）法受限于表面條件和低載流子濃度。本文提出了一種結(jié)合氫氟酸（HF）處理與擴(kuò)展電阻分布分析（SRP）的新方法，通過借助Xfil

  導(dǎo)電 電阻 高電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:03

  面向5G通信應(yīng)用：高阻硅晶圓電阻率熱處理穩(wěn)定化與四探針技術(shù)精準(zhǔn)測量

  

  隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展，高阻絕緣體上硅在微波與毫米波器件、探測器等領(lǐng)域的應(yīng)用需求激增。然而，高阻硅片電阻率的快速準(zhǔn)確測量仍面臨技術(shù)挑戰(zhàn)。四點(diǎn)探針法（4PP）因其高精度、寬量程等特點(diǎn)被視為優(yōu)選方法，但其測量結(jié)果易受時間因素影響，導(dǎo)致數(shù)據(jù)不穩(wěn)定。本研究基于Xfilm埃利四探針方阻儀的系統(tǒng)性測量，首次觀察到高阻硅片電阻率的時間依賴性行為，揭示表面氧化引起的界面

  5G通信 晶圓 測量 電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:03

  基于傳輸線法（TLM）的多晶 In?O?薄膜晶體管電阻分析及本征遷移率精準(zhǔn)測量

  

  氧化物半導(dǎo)體（如In?O?）因其高電子遷移率（>10cm2/Vs）和低漏電流特性，成為下一代顯示技術(shù)和三維集成器件的理想候選材料。然而，傳統(tǒng)場效應(yīng)遷移率（μFE）的測量常因寄生電阻（Rs/d）和通道尺寸偏差（ΔL/ΔW）導(dǎo)致低估本征遷移率（μFEi）。本文通過傳輸線法（TLM），結(jié)合Xfilm埃利TLM接觸電阻測試儀，在多晶In?O?-TFT中分離通道電阻R

  TLM 電阻 薄膜晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:03

  IEC新標(biāo)準(zhǔn)賦能石墨烯產(chǎn)業(yè)化：范德堡法與在線四探針法實(shí)現(xiàn)薄層電阻精準(zhǔn)測量

  

  石墨烯因其超高的載流子遷移率、機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)穩(wěn)定性，被視為下一代電子器件、傳感器及能源材料的核心候選。但其產(chǎn)業(yè)化面臨關(guān)鍵挑戰(zhàn)：不同合成方法（如CVD、機(jī)械剝離）導(dǎo)致材料性能差異顯著，亟需國際標(biāo)準(zhǔn)確保測量的一致性與可重復(fù)性。為此，國際電工委員會（IEC）發(fā)布了IECTS62607-6-7（范德堡法）和IECTS62607-6-8（在線四探針法），旨在規(guī)范大面積

  傳感器 測量 電阻 石墨烯

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