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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  消除接觸電阻的四探針改進方法：精確測量傳感器薄膜方塊電阻和電阻率

  

  方塊電阻是薄膜材料的核心特性之一，尤其在傳感器設(shè)計中，不同條件下的方塊電阻變化是感知測量的基礎(chǔ)。但薄膜材料與金屬電極之間的接觸電阻會顯著影響測量精度，甚至導(dǎo)致非線性肖特基勢壘的形成，進一步降低傳感器性能。傳統(tǒng)兩端子測量方法因接觸電阻難以控制或減小，導(dǎo)致系統(tǒng)誤差不可忽視。本文提出一種四探針改進的四端子方法，通過多次電阻測量和簡單代數(shù)計算并結(jié)合Xfilm埃利四探

  傳感器 接觸電阻 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  非接觸式發(fā)射極片電阻測量：與四探針法的對比驗證

  

  發(fā)射極片電阻（Remitter）是硅太陽能電池性能的核心參數(shù)之一，直接影響串聯(lián)電阻與填充因子。傳統(tǒng)方法依賴物理接觸或受體電阻率干擾，難以滿足在線檢測需求。本文提出一種結(jié)合渦流電導(dǎo)與光致發(fā)光（PL）成像的非接觸式測量技術(shù)，通過分離Remitter與體電阻（Rbulk），實現(xiàn)高精度、無損檢測。實驗驗證表明，該方法與基于四點探針法（4pp）的Xfilm埃利在線四探

  電阻測溫 電阻率

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  面向硅基產(chǎn)線：二維半導(dǎo)體接觸電阻的性能優(yōu)化

  

  隨著硅基集成電路進入后摩爾時代，二維過渡金屬硫化物（TMDCs，如MoS?、WS?）憑借原子級厚度、優(yōu)異的開關(guān)特性和無懸掛鍵界面，成為下一代晶體管溝道材料的理想選擇。然而，金屬電極與二維半導(dǎo)體間的接觸問題一直是制約其發(fā)展的核心障礙——接觸電阻過高（>800Ω·μm）、費米能級釘扎（FLP）效應(yīng)嚴(yán)重、納米尺度接觸穩(wěn)定性不足，難以滿足先進工藝節(jié)點需求（IRDS標(biāo)

  半導(dǎo)體 接觸電阻 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  石墨烯超低方阻的實現(xiàn) | 霍爾效應(yīng)模型驗證

  

  石墨烯因其高載流子遷移率（~200,000cm2/V·s）、低方阻和高透光性（~97.7%），在電子應(yīng)用領(lǐng)域備受關(guān)注。然而，單層石墨烯的電學(xué)性能受限于表面摻雜效應(yīng)（如PMMA殘留或環(huán)境吸附物引起的p型摻雜）和襯底散射效應(yīng)。多層石墨烯（MLG）通過增加層數(shù)可提升機械穩(wěn)定性和電學(xué)性能，但其層間界面性質(zhì)（如載流子密度、遷移率分布）顯著影響整體性能。傳統(tǒng)理論認(rèn)為，M

  石墨烯 霍爾效應(yīng)

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  NiCr薄膜電阻優(yōu)化：利用鋁夾層實現(xiàn)高方塊電阻和低溫度電阻系數(shù)

  

  隨著系統(tǒng)集成封裝（SIP）技術(shù)發(fā)展，嵌入式薄膜電阻需同時滿足高方塊電阻（>100Ω/sq）和近零電阻溫度系數(shù)（│TCR│當(dāng)tAl>7.5nm時，Al層成為主要導(dǎo)電通道，導(dǎo)致Rs下降。電阻溫度系數(shù)TCR調(diào)控：Al夾層使TCR隨tAl增加呈現(xiàn)“先降后升”趨勢，在tAl=7.5nm時達到最低值-6.61ppm/K（tNiCr=10nm，400℃退火）。退火工藝的界

  溫度電阻率 薄膜電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  半導(dǎo)體歐姆接觸工藝 | MoGe?P?實現(xiàn)超低接觸電阻的TLM驗證

  

  二維半導(dǎo)體因其原子級厚度和獨特電學(xué)性質(zhì)，成為后摩爾時代器件的核心材料。然而，金屬-半導(dǎo)體接觸電阻成為限制器件性能的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體（如MoS?、黑磷）普遍存在高肖特基勢壘問題，導(dǎo)致載流子注入效率低下。近期發(fā)現(xiàn)的MoGe?P?單層因兼具高載流子遷移率（>103cm2V?1s?1）和適中間接帶隙（0.49eV），被視為理想溝道材料。本文通過第一性原理計算

  TLM 半導(dǎo)體 接觸電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  4H-SiC薄膜電阻在高溫MEMS芯片中的應(yīng)用 | 電阻率溫度轉(zhuǎn)折機制分析

  

  微機電系統(tǒng)（MEMS）傳感器技術(shù)已廣泛應(yīng)用于汽車、醫(yī)療等領(lǐng)域，但在航空發(fā)動機等極端高溫環(huán)境（>500℃）中，傳統(tǒng)硅基傳感器因材料限制無法使用。碳化硅（SiC）因其高溫穩(wěn)定性、高集成性成為理想替代材料，但其關(guān)鍵材料參數(shù)（如襯底熱膨脹系數(shù)、薄膜電阻溫度特性）缺乏系統(tǒng)研究，導(dǎo)致傳感器設(shè)計階段難以評估溫度效應(yīng)。本研究結(jié)合Xfilm埃利在線四探針方阻儀針對4H-SiC

  mems芯片 電阻率 薄膜電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  四探針薄膜測厚技術(shù) | 平板顯示FPD制造中電阻率、方阻與厚度測量實踐

  

  平板顯示（FPD）制造過程中，薄膜厚度的實時管理是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)方法如機械觸針法、顯微法和光學(xué)法存在破壞樣品、速度慢、成本高或局限于特定材料等問題。本研究開發(fā)了一種基于四探針法的導(dǎo)電薄膜厚度測量儀，其原理是通過將已知的薄膜材料電阻率除以方阻來確定厚度，并使用XFilm平板顯示在線方阻測試儀作為對薄膜在線方阻實時檢測，以提供數(shù)據(jù)支撐。旨在實現(xiàn)非破

  FPD 測厚 薄膜

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  四探針法 | 測量射頻（RF）技術(shù)制備的SnO2:F薄膜的表面電阻

  

  SnO?:F薄膜作為重要透明導(dǎo)電氧化物材料，廣泛用于太陽能電池、觸摸屏等電子器件，其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻（RF）濺射技術(shù)制備的SnO?:F薄膜為研究對象，通過鋁PAD法與四探針法開展表面電阻測量研究。Xfilm埃利四探針方阻儀憑借高精度檢測能力，可為此類薄膜電學(xué)性能測量提供可靠技術(shù)保障。下文將重點分析四探針法的測量原理、實驗方法與結(jié)果，

  RF 電阻 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  低維半導(dǎo)體器件電阻率的測試方法

  

  電阻率的測試方法多樣，應(yīng)根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu)）、形狀及電學(xué)特性選擇合適的測量方法。在低維半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中，電阻率作為反映材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)，其精確測量對器件性能評估和質(zhì)量控制具有重要意義。Xfilm埃利四探針方阻儀憑借高精度和智能化特性，可為低維半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能檢測提供了可靠解決方案。下文將系統(tǒng)闡述常規(guī)四探針法、改進的

  半導(dǎo)體器件 測試 電阻率

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