動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-11-03 18:04

  面向半導體量測的多波長橢偏技術(shù)：基于FDM-SE實現(xiàn)埃米級精度與同步測量

  

  隨著半導體芯片制造精度進入納米尺度，薄膜厚度的精確測量已成為保障器件性能與良率的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。光譜橢偏儀雖能實現(xiàn)埃米級精度的非接觸測量，但傳統(tǒng)設備依賴寬帶光源與光譜分光系統(tǒng)，存在測量效率低、系統(tǒng)復雜且易受環(huán)境干擾等問題。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應用于薄膜材料、半導體和表面科學等領(lǐng)域。本研究提出了一種基于頻分復用

  FDM 半導體 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-10-31 18:12

  臺階儀校準：材料測具的輪廓保真度與探針幾何形態(tài)

  

  在工業(yè)表面紋理測量領(lǐng)域，觸針式輪廓儀仍是最常用的測量工具。為確保測量結(jié)果的準確性，需要定期使用ISO5436-1標準定義的材料測具進行校準。這些校準過程涉及探針與材料測具之間的機械接觸，在重復測量中可能引起磨損，進而影響校準結(jié)果的可靠性。Flexfilm探針式臺階儀可以實現(xiàn)表面微觀特征的精準表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質(zhì)

  材料 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-10-29 18:02

  橢偏儀在DRAM制造量測中的應用：實現(xiàn)20mm×20mm超寬視場下晶圓級精準監(jiān)控及提升良率

  

  隨著半導體器件特征尺寸持續(xù)縮小，局部結(jié)構(gòu)變化易影響電學性能甚至導致失效，對高空間密度、高吞吐量的先進計量技術(shù)需求迫切。但現(xiàn)有技術(shù)存在局限：光譜類技術(shù)（SR/SE/MMSE）需逐點測量，難以實現(xiàn)晶圓級快速計量；SEM分辨率高卻視場小，無法高效識別大范圍結(jié)構(gòu)變化；傳統(tǒng)成像類技術(shù)視場窄且穆勒矩陣組件利用不足。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射

  晶圓 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-10-27 18:04

  如何選擇臺階儀的觸針針尖？基于三維仿真與譜分析的選型標準研究

  

  臺階儀因其測量的直接性和數(shù)據(jù)的可追溯性，在表面形貌精密測量中始終占據(jù)關(guān)鍵地位。然而，其觸針的球狀針尖在掃描表面時，無法完全復現(xiàn)真實的峰谷結(jié)構(gòu)，導致所測輪廓與實際輪廓存在差異，此現(xiàn)象被稱為“輪廓畸變”或“機械濾波”。Flexfilm探針式臺階儀可以實現(xiàn)表面微觀特征的精準表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供

  三維仿真 儀器 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-10-24 18:09

  光譜橢偏儀入門指南：原理、方法與基礎(chǔ)應用

  

  在材料科學和光學表征領(lǐng)域，精確獲取薄膜厚度與光學常數(shù)是理解材料性能的關(guān)鍵。然而，傳統(tǒng)測量方法往往面臨破壞樣品、精度不足或難以適用于復雜微觀結(jié)構(gòu)的局限。針對這一問題，光譜橢偏儀（SE）作為一種非侵入式光學技術(shù)，通過分析偏振光在反射或透射過程中發(fā)生的振幅比（Ψ）和相位差（Δ）變化，實現(xiàn)對表面、界面和薄膜的高精度表征。Flexf

  光譜 測試

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• 發(fā)布了文章 2025-10-22 18:03

  薄膜測厚選CWL法還是觸針法？針對不同厚度與材質(zhì)的臺階儀技術(shù)選型指南

  

  在微電子與MEMS領(lǐng)域，薄膜厚度測量對薄膜沉積、產(chǎn)品測試及失效分析至關(guān)重要，有機半導體因低成本、室溫常壓易加工及“濕法”制備優(yōu)勢，在OLED等器件中潛力大，但其一存在膜層柔軟、附著力差等問題，影響厚度測量準確性；其二常用的觸針式臺階儀雖測量范圍廣，卻因接觸式測量易破壞軟膜，非接觸的彩色白光（CWL）法雖可掃描大面積表面，卻受薄膜光學不均勻性影響精度。Flex

  測厚 測量 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-10-20 18:04

  橢偏儀表征薄膜非晶相 | 精準分析不同襯底溫度下氫化非晶氧化硅(i-a-SiO?:H)薄膜的光學性質(zhì)與結(jié)構(gòu)

  

  本征氫化非晶氧化硅（i-a-SiO?:H）是a-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)太陽電池的重要鈍化材料，兼具PECVD低溫沉積、帶隙寬等優(yōu)勢，但i-a-SiO?:H鈍化性能與制備工藝、儀器密切相關(guān)；目前室溫（25℃）下在n型直拉單晶硅（n-Cz-Si）表面沉積i-a-SiO?:H時，硅片少子壽命極低，鈍化效果差，且襯底溫度對其鈍化性能的影響尚不明確；Flexfilm

  光學 太陽能電池

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• 發(fā)布了文章 2025-10-17 18:03

  臺階儀在表面計量學的應用：基于表面紋理最大高度S±3σ的表征研究

  

  表面形貌的平均高度與最大幅度直接影響零部件的使用功能。工業(yè)中常通過二維輪廓測量獲取相關(guān)參數(shù)，但輪廓最大高度存在較大波動性。Flexfilm探針式臺階儀可以實現(xiàn)表面微觀特征的精準表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本研究提出基于三維面掃描測量結(jié)果，通過將表面最大高度修正至材料比率0.13%-99

  儀器 測量 輪廓測量

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• 發(fā)布了文章 2025-10-15 18:04

  橢偏儀在精密薄膜中的應用：基于單驅(qū)動變角結(jié)構(gòu)的高重復性精度控制系統(tǒng)

  

  橢偏測試技術(shù)具有非接觸、高靈敏、無樣品破壞優(yōu)勢，廣義橢偏儀因可測各向同性與異性樣品成研究熱點，但需變角結(jié)構(gòu)實現(xiàn)多角度測量。當前立式橢偏儀存在雙電機配合難或裝配精度高問題，臥式橢偏儀光路不易對準，且缺乏低成本、高集成度且精確變角控制的方案。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應用于薄膜材料、半導體和表面科學等領(lǐng)域。本文提

  控制系統(tǒng) 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-10-13 18:04

  臺階儀在多鍍層膜厚中的應用：基于單基體多膜標準實現(xiàn)0.5%高精度測量

  

  表面涂覆技術(shù)是現(xiàn)代制造業(yè)的關(guān)鍵工藝，鍍層厚度是其核心質(zhì)量指標。目前，單鍍層厚度測量技術(shù)已較為成熟，但多鍍層厚度標準仍存在溯源精度低、量值不統(tǒng)一等問題。Flexfilm探針式臺階儀可以實現(xiàn)表面微觀特征的精準表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本研究基于真空鍍膜技術(shù)和單鍍層溯源方法，成功研制出單基

  儀器 測量

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