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中芯國(guó)際透露14納米制程取得重大進(jìn)展

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-08-31 15:21 ? 次閱讀
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近日,中芯國(guó)際發(fā)布了2018年中期業(yè)績(jī)報(bào)告,報(bào)告顯示,2018年上半年?duì)I收達(dá)17.22億美元,同比增長(zhǎng)11.5%。毛利為4.38億美元,同比增長(zhǎng)5.6%。股東應(yīng)占溢利降至8097.6萬(wàn)美元;同比減少23.7%,每股收益為0.02美元。

報(bào)告中披露,上半年中芯國(guó)際來(lái)自中國(guó)地區(qū)客戶(hù)的收入增長(zhǎng)占不含技術(shù)授權(quán)總收入的56.3%,相比2017年同期46%,收入升幅為23.9%。報(bào)告期內(nèi),中芯國(guó)際的付運(yùn)晶圓增加或許是導(dǎo)致數(shù)據(jù)增長(zhǎng)的原因。

值得一提的是,在報(bào)告期內(nèi),中芯國(guó)際在14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上取得了重大進(jìn)展。據(jù)了解,目前該技術(shù)研發(fā)已經(jīng)進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入生產(chǎn)階段,而在28納米工藝節(jié)點(diǎn)上,除了PolySiON技術(shù)和HKC技術(shù)外,28納米HKC+技術(shù)也完成了開(kāi)發(fā),同時(shí)HKC技術(shù)持續(xù)上量且良率顯著提升。

此外,中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍和梁孟松曾表示,中芯處于蓄勢(shì)過(guò)渡時(shí)期?!拔覀儗⒗^續(xù)擴(kuò)展和提升我們的成熟和先進(jìn)技術(shù)平臺(tái),提供客戶(hù)全面有競(jìng)爭(zhēng)力的服務(wù)。作為中國(guó)首選晶圓代工伙伴,相信公司必將受惠于中國(guó)芯片市場(chǎng)的成長(zhǎng)機(jī)遇。”

業(yè)界猜測(cè),中芯國(guó)際在14納米FinFET打好基礎(chǔ)后,公司指出下一步是推進(jìn)第二代的FinFET工藝技術(shù),以追求更好的PPAC(power-performance-area-cost)。

放眼全球,目前已量產(chǎn)FinFET架構(gòu)技術(shù)的半導(dǎo)體大廠(chǎng)包括英特爾、臺(tái)積電、三星、GlobalFoundries、聯(lián)電等。據(jù)了解,英特爾從22納米開(kāi)始發(fā)展FinFET技術(shù)工藝,三星在14納米工藝世代、臺(tái)積電在16納米工藝開(kāi)始導(dǎo)入FinFET架構(gòu),聯(lián)電在14納米導(dǎo)入。在先進(jìn)制程技術(shù)方面,中芯國(guó)際一直都在追趕臺(tái)積電、三星等領(lǐng)先廠(chǎng)商。

中芯國(guó)際在今年年初宣布,將聯(lián)同大基金和上海集成電路產(chǎn)業(yè)基金兩大政府產(chǎn)業(yè)基金共同投資102.4億美元,以加快14納米及以下先進(jìn)制程的研發(fā)計(jì)劃,最終達(dá)到每月量產(chǎn)3.5萬(wàn)片的目標(biāo)。

如果中芯國(guó)際的14納米FinFET制程實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),那就意味著未來(lái),中芯國(guó)際有望在晶圓代工市場(chǎng)上取得更大成果。

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