在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145G MOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入了全新動能。

突破性的性能表現(xiàn)

仁懋MOT1145G同步整流NMOS采用先進的溝槽工藝，具備100V耐壓`和4.4mΩ的超低導(dǎo)通電阻，電流承載能力高達90A。這一突破性參數(shù)使其在同等規(guī)格產(chǎn)品中脫穎而出，為高功率密度設(shè)計提供了堅實保障。

賦能小型化設(shè)計

在65W氮化鎵快充方案中，MOT1145G的卓越表現(xiàn)主要體現(xiàn)在：

極致效率：4.4mΩ的導(dǎo)通電阻大幅降低開關(guān)損耗，整機效率提升顯著

出色散熱：優(yōu)化的熱設(shè)計使器件在滿載狀態(tài)下仍能保持低溫運行

空間節(jié)約：緊湊的封裝尺寸完美契合高功率密度設(shè)計要求

技術(shù)優(yōu)勢凸顯

與傳統(tǒng)方案相比，基于MOT1145G的65W氮化鎵快充方案實現(xiàn)了多重突破：

- 功率密度提升約40%，體積縮小至傳統(tǒng)充電器的50%

- 系統(tǒng)效率達到94%以上，發(fā)熱量顯著降低

- 支持多種快充協(xié)議，兼容性廣泛

市場應(yīng)用前景

目前，該方案已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)出貨，廣泛應(yīng)用于：

- 多口氮化鎵快充充電器

- 輕薄筆記本電源適配器

- 移動電源及車載充電設(shè)備

- 各類智能設(shè)備快充配件

仁懋電子憑借MOT1145G在氮化鎵快充領(lǐng)域的成功布局，展現(xiàn)了其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深厚的技術(shù)積累。未來，隨著快充技術(shù)向更高功率、更小體積發(fā)展，仁懋將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新，為消費者帶來更高效、更便攜的充電體驗。