YLB高功率密度PD快充芯片U8722SP快速安全散熱好

日常生活和工作的需要，讓大家都希望在盡量短的時(shí)間內(nèi)給自己的手機(jī)充得足夠的電量?？斐湫酒娜蝿?wù)，就是把適配器的電壓轉(zhuǎn)換成電池的電壓，同時(shí)按照需要的充電電流精確可控地向電池進(jìn)行充電。下面介紹一款很好的快充芯片方案主控芯片，銀聯(lián)寶PD快充芯片U8722SP！

PD快充芯片U8722SP引腳定義：

1 GND P 芯片參考地

2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

4 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 VDD P 芯片供電管腳

7 NC /

8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

PD快充芯片U8722SP的工作頻率最高可達(dá) 220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。

U8722SP

PD快充芯片U8722SP特性：

1. 集成高壓E-GaN

2. 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

3. 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗<30mW

4. 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

5. 集成EMI優(yōu)化技術(shù)

6. 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

7. 集成Boost供電電路

8. 集成完備的保護(hù)功能：VDD過(guò)壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)、輸出欠壓保護(hù)(DEM UVP)、輸入過(guò)壓保護(hù)(LOVP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、片內(nèi)過(guò)熱保護(hù)(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過(guò)流保護(hù)(AOCP)、短路保護(hù)(SCP)、過(guò)載保護(hù)(OLP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開(kāi)路保護(hù)

9. 封裝類型SOP-8

手機(jī)充電不僅要求快速安全，還需要發(fā)熱較低，對(duì)快充芯片的要求自然就是高轉(zhuǎn)換效率、散熱好。深圳銀聯(lián)寶PD快充芯片方案通過(guò)降低適配器的輸出電壓，在恒流充電階段使其與電池電壓保持足夠小的同步壓差跟蹤，以此提高充電電流，并同時(shí)提高轉(zhuǎn)換效率！