圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應用于 VBUS 過壓保護開關、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關及 DC/DC 轉換器。

SGMNQ12340 具有低導通電阻的顯著特點，其典型值僅為 13mΩ（VGS= 10V），最大值不超過 18mΩ（VGS= 10V），能有效降低導通損耗。同時，它擁有低柵極電荷與電容，總柵極電荷（QG）典型值為 8.5nC（VGS= 10V），輸入電容低、開關速度快，非常適合高頻應用。其小巧的 TDFN 封裝尺寸僅為 2mm×2mm，為高密度 PCB 布局提供了理想選擇，并且產品符合 RoHS 標準，無鹵素，滿足環(huán)保要求。

在主要參數方面，SGMNQ12340 的漏源電壓（VDS）為 40V，在 +25°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)漏極電流（ID）可達 9A，柵源閾值電壓（VGS_TH）范圍在 1.2V 至 2.2V 之間，總功耗（PD）在 +25°C 環(huán)境溫度下為 2W，其廣泛的工作溫度范圍覆蓋 -55°C 至 +150°C，確保了其在各種嚴苛環(huán)境下的可靠性。

圖 1 SGMNQ12340 等效電路

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