電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模受AI在智能設(shè)備中快速滲透帶來(lái)的存儲(chǔ)擴(kuò)容需求激增推動(dòng)，從2020年的128億塊增長(zhǎng)至2024年的138億塊。2022年至2023年期間，由于供需關(guān)系，市場(chǎng)規(guī)模出現(xiàn)短暫下跌。2020年至2024年期間年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到1.8%。預(yù)計(jì)未來(lái)五年，隨著AI技術(shù)突破帶來(lái)的新的存儲(chǔ)需求與存儲(chǔ)產(chǎn)品本身的技術(shù)產(chǎn)品升級(jí)驅(qū)動(dòng)，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模（以出貨量計(jì)）將增長(zhǎng)至2029年的194億塊，2024年至2029年的年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)7.1%。

全球嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模（以出貨量計(jì)）從2020年的77億塊增長(zhǎng)至2024年的86億塊，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到2.9%。這一階段的增長(zhǎng)主要受到人工智能發(fā)展、智能設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化以及物聯(lián)網(wǎng)等因素推動(dòng)，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。于2024年至2029年，預(yù)計(jì)市場(chǎng)將增長(zhǎng)至123億塊，年復(fù)合增長(zhǎng)率為7.4%。

嵌入式存儲(chǔ)

嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品是將半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片與控制器及其他必要組件進(jìn)行統(tǒng)一封裝，形成一個(gè)功能完備、高度優(yōu)化的單一模塊，然后集成到電子設(shè)備主系統(tǒng)中的存儲(chǔ)產(chǎn)品。作為集成在電子設(shè)備主板上的核心存儲(chǔ)介質(zhì)，采用大容量嵌入式的NAND Flash解決方案、DRAM解決方案或NAND及DRAM復(fù)合解決方案，專為滿足智能手機(jī)、IoT設(shè)備和車載電子等對(duì)空間、功耗和性能的嚴(yán)苛要求而設(shè)計(jì)。嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品包括 eMMC、UFS、eMCP、LPDDR、DDR、uMCP、ePOP等。

eMMC：embedded Multi Media Card嵌入式多媒體存儲(chǔ)器；當(dāng)前嵌入式終端設(shè)備的主流閃存解決方案，在尺寸、成本等方面具有優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、車載電子、智能穿戴、機(jī)頂盒等領(lǐng)域。

UFS：Universal Flash Storage通用閃存存儲(chǔ)；UFS是eMMC的迭代產(chǎn)品，具有更高的存儲(chǔ)容量和傳輸速率，已成為中高端智能手機(jī)的主流選擇，其他應(yīng)用領(lǐng)域包括車載電子、物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴、機(jī)頂盒等領(lǐng)域。

eMCP：embedded Multiple Chip Package嵌入式多芯片封裝；由eMMC和LPDDR封裝在一起，最大限度地減少空間和增強(qiáng)芯片之間的連接性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)大容量固態(tài)存儲(chǔ)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)，適用于空間受限的移動(dòng)設(shè)備。

LPDDR：Low Power Double Data Rate低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率；是一種專為提高能效和性能而設(shè)計(jì)的特殊隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)，為需要快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)且不消耗過(guò)多電量的系統(tǒng)提供了解決方案，以低功耗和小體積著稱，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、超薄筆記本、智能穿戴等移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域。其中LPDDR4/4X相比LPDDR3/3X在性能上顯著提升，提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的功耗，目前正向LPDDR5/5X及更高版本發(fā)展，以滿足對(duì)更高帶寬和更低功耗的需求。

DDR：Double Data Rate雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)；是一種廣泛使用的內(nèi)存技術(shù)，具有較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，適用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等設(shè)備。

uMCP：Ultra Multi-Chip Package超多芯片封裝；這是一種將大容量閃存與高速RAM整合于單一芯片的封裝技術(shù)，具備更高的性能密度、更大的儲(chǔ)存容量及更低的功耗，主要應(yīng)用于智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)及其他移動(dòng)設(shè)備。

ePOP：Embedded Package-on-Package嵌入式疊層封裝；這是一種將高性能eMMC與LPDDR整合為單一產(chǎn)品的封裝技術(shù)。其采用疊層封裝(PoP)方式，存儲(chǔ)器垂直堆棧于CPU之上，實(shí)現(xiàn)更為緊湊、省空間的設(shè)計(jì)。因此，ePOP特別適用于對(duì)尺寸限制嚴(yán)苛的超薄設(shè)備，如智能手表、智能手環(huán)、VR眼鏡等可穿戴設(shè)備，亦見(jiàn)于部分旗艦智能手機(jī)。

根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，eMCP、uMCP及ePOP為高度集成的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品，專為緊湊型應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。此外，eMCP及uMCP基于多芯片封裝技術(shù)，將 eMMC或UFS與LPDDR集成到單一封裝中，顯著減少PCB占用空間，并為智能手機(jī)及 平板計(jì)算機(jī)等設(shè)備提供更緊湊的存儲(chǔ)解決方案。相比uMCP，eMCP因其成本效益而獲廣泛用于智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)，而性能更高的uMCP主要用于高端產(chǎn)品線。與eMCP不同，ePOP在 處理器上直接堆棧eMMC及LPDDR，進(jìn)一步降低空間需求，特別適用于智能手表及智 能眼鏡等可穿戴設(shè)備。

而LPDDR及DDR均屬于DRAM產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、智能電視、可穿戴設(shè)備及車載電子等多類智能終端設(shè)備。LPDDR具備高頻率、大容量及低功耗的特點(diǎn)，主要應(yīng)用于對(duì)能耗敏感的場(chǎng)景，如智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)及可穿戴設(shè)備。DDR因其高帶寬、穩(wěn)定性強(qiáng)及性價(jià)比高優(yōu)勢(shì)，主要應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、智能電視及智慧家居設(shè)備等場(chǎng)景。未來(lái)，隨著人工智能、邊緣 計(jì)算的快速普及以及智能應(yīng)用日益復(fù)雜，LPDDR及DDR產(chǎn)品的需求預(yù)計(jì)將持續(xù)增長(zhǎng)，這主要受到多元化應(yīng)用場(chǎng)景中對(duì)計(jì)算能力、存儲(chǔ)容量及能效更高要求的驅(qū)動(dòng)。

存儲(chǔ)原廠與獨(dú)立存儲(chǔ)廠商優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)

全球嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)參與者可被分為存儲(chǔ)產(chǎn)品原廠和獨(dú)立存儲(chǔ)器廠商。存儲(chǔ)產(chǎn)品原廠在全球嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)占據(jù)大部分市場(chǎng)份額。主要通過(guò)與大型下游客戶建立長(zhǎng)期合作關(guān)系，利用規(guī)?；a(chǎn)和標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品來(lái)滿足大批量需求，從而保持優(yōu)勢(shì)。

獨(dú)立存儲(chǔ)器廠商憑借快速響應(yīng)市場(chǎng)需求變化，提供定制化解決方案的能力，逐漸獲得更多客戶青睞。這包括提供更廣泛的容量選擇或特殊封裝形式，以及針對(duì)小批量、多品類的訂單提供更快速的響應(yīng)。獨(dú)立存儲(chǔ)器廠商對(duì)細(xì)分市場(chǎng)的深入理解和快速響應(yīng)能力，與存儲(chǔ)產(chǎn)品原廠互補(bǔ)，共同推動(dòng)了整個(gè)存儲(chǔ)生態(tài)的健康發(fā)展和技術(shù)創(chuàng)新。

以2024年出貨量計(jì)，前五大嵌入式存儲(chǔ)獨(dú)立廠商共占據(jù)7.1%的市場(chǎng)份額。以2024年出貨量計(jì)，全球前五大LPDDR獨(dú)立廠商共占據(jù)6.2%的市場(chǎng)份額。

嵌入式存儲(chǔ)的代際演進(jìn)與先進(jìn)封測(cè)技術(shù)很關(guān)鍵

存儲(chǔ)產(chǎn)品技術(shù)的演進(jìn)帶來(lái)性能的優(yōu)化。在存儲(chǔ)密度方面，NAND Flash技術(shù)通過(guò)增加3D堆棧層數(shù)不斷突破極限，為主流嵌入式和移動(dòng)設(shè)備提供TB級(jí)的高容量存儲(chǔ)，有效降低每比特成本。與此同時(shí)，帶寬的提升同樣關(guān)鍵。作為嵌入式市場(chǎng)核心內(nèi)存的LPDDR，其技術(shù)正加速?gòu)腖PDDR4向LPDDR5乃至更高代際演進(jìn)，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率并優(yōu)化能耗，以滿足AI終端設(shè)備對(duì)高性能、低功耗內(nèi)存的嚴(yán)苛需求。

與此同時(shí)，存儲(chǔ)產(chǎn)品的封測(cè)技術(shù)也在進(jìn)步。AI對(duì)內(nèi)存和閃存的需求呈現(xiàn)差異化。在端側(cè)推理場(chǎng)景中，設(shè)備更側(cè)重于高能效比、低延遲的存儲(chǔ)，以支持AI模型的實(shí)時(shí)運(yùn)行和響應(yīng)。為了高效整合這些不同需求的存儲(chǔ)芯片，先進(jìn)的模塊封測(cè)技術(shù)至關(guān)重要，它通過(guò)將高密度NAND Flash與高性能LPDDR芯片進(jìn)行合封，實(shí)現(xiàn)了小尺寸、高集成度的存儲(chǔ)解決方案。這一趨勢(shì)推動(dòng)新興組合方式的發(fā)展，為智能穿戴、AIoT設(shè)備等小型AI 端側(cè)市場(chǎng)打開(kāi)新的增長(zhǎng)空間，成為存儲(chǔ)市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展的重要方向。

新興智能設(shè)備的快速迭代和發(fā)展，為存儲(chǔ)產(chǎn)品帶來(lái)更多機(jī)遇。AI顯著推動(dòng)新興智能設(shè)備興起。例如，AI眼鏡、具身智能機(jī)器人等創(chuàng)新產(chǎn)品層出不窮。這些AI驅(qū)動(dòng)的設(shè)備對(duì)嵌入式存儲(chǔ)提出了更高的要求，因?yàn)樗鼈冃枰谟邢薜捏w積和功耗預(yù)算下，高效存儲(chǔ)并運(yùn)行日益復(fù)雜的AI模型進(jìn)行端側(cè)推理，同時(shí)處理和傳輸海量高帶寬的多媒體數(shù)據(jù)，并支持更豐富、更實(shí)時(shí)的用戶交互體驗(yàn)。為滿足這些嚴(yán)苛需求，小尺寸、高度集成、高性能、低功耗的存儲(chǔ)器正逐漸成為這類設(shè)備的核心配置。