DRV8329-Q1 系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動器。這些器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓，并使用自舉電路增強高側(cè)MOSFET。包括一個涓流電荷泵，以支持 100% 占空比。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達 1A 源極和 2A 灌電流的峰值柵極驅(qū)動電流。DRV8329-Q1 可以使用單個電源供電，并支持 4.5 至 60V 的寬輸入電源范圍。
*附件：drv8329-q1.pdf

6x 和 3x PWM 模式允許與控制器電路進行簡單的接口。該器件集成了精確的3.3V LDO，可用于為外部控制器供電，并可用作CSA的參考。設(shè)備的配置設(shè)置可通過硬件 （H/W） 引腳進行配置。

DRV8329-Q1器件集成了低側(cè)電流檢測放大器，允許對驅(qū)動級所有三相的電流總和進行電流檢測。

提供低功耗睡眠模式，通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實現(xiàn)低靜態(tài)電流。提供欠壓鎖定、GVDD 故障、MOSFET 過流、MOSFET 短路和過熱的內(nèi)部保護功能。故障情況在nFAULT引腳上指示。

特性

• 65V 三相半橋柵極驅(qū)動器
  • 驅(qū)動 3 個高側(cè)和 3 個低側(cè) N 溝道 MOSFET （NMOS）
  • 4.5 至 60V 工作電壓范圍
  • 支持100% PWM占空比，帶涓流電荷泵
• 基于 Bootstrap 的柵極驅(qū)動器架構(gòu)
  • 1000mA 最大峰值源電流
  • 2000mA 最大峰值灌電流
• 集成電流檢測放大器，具有低輸入失調(diào)（針對 1 個分流器進行了優(yōu)化）
  • 可調(diào)增益（5、10、20、40V/V）
• 硬件接口提供簡單的配置
• 超低功耗睡眠模式 <1uA，25 ?C
• 相位間4ns（典型值）傳播延遲匹配
• 獨立驅(qū)動器關(guān)斷路徑 （DRVOFF）
• 65V 容差喚醒引腳 （nSLEEP）
• 在SHx上支持高達-10V的負瞬變
• 6x 和 3x PWM 模式
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 精確的LDO（AVDD），3.3V ±3%，80mA
• 緊湊的QFN封裝和封裝
• 通過VDSLVL引腳可調(diào)節(jié)VDS過流閾值
• 通過 DT 引腳可調(diào)節(jié)死區(qū)時間
• 帶電源塊的高效系統(tǒng)設(shè)計
• 集成保護功能
  • PVDD 欠壓鎖定 （PVDDUV）
  • GVDD 欠壓 （GVDDUV）
  • Bootstrap 欠壓 （BST_UV）
  • 過流保護（VDS_OCP、SEN_OCP）
  • 熱關(guān)斷 （OTSD）
  • 故障狀態(tài)指示器 （nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?寬電壓范圍?
  • 支持4.5V至60V輸入電壓，峰值驅(qū)動電流1A（源）/2A（吸），適用于汽車級應(yīng)用（AEC-Q100認證）。
  • 集成電荷泵和自舉電路，支持100%占空比運行。
• ?驅(qū)動能力?
  • 3個半橋柵極驅(qū)動器，可驅(qū)動6個N溝道MOSFET（高邊+低邊）。
  • 低邊電流檢測放大器，增益可調(diào)（5/10/20/40 V/V），支持單分流電阻配置。
• ?保護功能?
  • 過流保護（VDS_OCP、SEN_OCP）、欠壓鎖定（PVDD/GVDD/BST_UV）、熱關(guān)斷（OTSD）。
  • 故障指示通過nFAULT引腳輸出。
• ?低功耗模式?
  • 睡眠模式電流<1μA，適合電池供電場景。

?2. 關(guān)鍵功能?

• ?PWM控制模式?
  • ?6x PWM模式?：獨立控制高邊和低邊MOSFET，支持高、低、高阻態(tài)。
  • ?3x PWM模式?：簡化控制邏輯，通過INLx引腳實現(xiàn)高阻態(tài)。
• ?硬件配置接口?
  • 通過DT引腳電阻調(diào)節(jié)死區(qū)時間（100ns~2000ns）。
  • VDSLVL引腳設(shè)置MOSFET過流閾值（0.1V~2.5V）。
• ?電流檢測?
  • 集成低邊電流檢測放大器，參考電壓由CSAREF引腳提供，輸出通過SO引腳連接MCU ADC。

?3. 典型應(yīng)用?

• 汽車泵、HVAC風扇、電動自行車/滑板車。
• 車身電子（車窗、天窗、座椅調(diào)節(jié)）。
• 工業(yè)BLDC電機模塊。

?4. 設(shè)計要點?

• ?自舉電容?：推薦1μF/25V（BSTx-SHx），需靠近引腳布局。
• ?柵極電阻?：根據(jù)MOSFET柵極電荷（Qg）調(diào)整，建議源極和吸極路徑分開以優(yōu)化開關(guān)速度。
• ?布局建議?：縮短高邊/低邊驅(qū)動回路，電源旁路電容需貼近PVDD引腳。

?5. 封裝與型號?

• ?封裝?：40引腳WQFN（7mm×5mm），帶散熱焊盤。
• ?型號差異?：
  • DRV8329A-Q1：6x PWM模式，支持獨立高邊控制。
  • DRV8329B-Q1：3x PWM模式，半橋控制簡化。

?6. 保護機制?

• ?VDS過流?：通過VDSLVL引腳電壓設(shè)定閾值，支持高/低邊MOSFET監(jiān)測。
• ?熱關(guān)斷?：結(jié)溫>170°C時觸發(fā)，滯后20°C恢復(fù)。