據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。

三星第五代V-NAND內(nèi)存芯片是業(yè)內(nèi)第一個(gè)利用Toggle DDR 4.0接口的產(chǎn)品。該接口被稱為數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咚俟?，在存?chǔ)之間的傳輸速度可達(dá)1.4 Gbps。與前一代產(chǎn)品相比，后者使存儲(chǔ)的傳輸速度提高了40%。此外，新的V-NAND數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進(jìn)了30%，讀取信號(hào)時(shí)間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能，電壓從1.8V降至1.2V。

為了實(shí)現(xiàn)上述所有的改進(jìn)，新一代V-NAND配備了90層的3D TLC 閃存存儲(chǔ)單元。它們堆疊成金字塔狀結(jié)構(gòu)，中間有微小孔。這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬，包含超過(guò)850億個(gè)閃存單元，每個(gè)單元存儲(chǔ)多達(dá)3比特?cái)?shù)據(jù)，單Die容量達(dá)256Gb(32GB)。這種制造方法包括了許多先進(jìn)技術(shù)，比如電路設(shè)計(jì)、新工藝技術(shù)等。具體細(xì)節(jié)三星未詳述，但該公司稱，V-NAND的改進(jìn)使其生產(chǎn)效率提高了30%以上。