近日，據(jù)韓媒報(bào)道，三星位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))的基礎(chǔ)上，年內(nèi)還將進(jìn)一步邁出重要一步——建設(shè)第九代V-NAND(286層技術(shù))產(chǎn)線。

報(bào)道指出，為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產(chǎn)第九代V-NAND所需的新設(shè)備。這些先進(jìn)設(shè)備的導(dǎo)入，將為產(chǎn)線建設(shè)提供堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，確保技術(shù)升級(jí)順利進(jìn)行。

據(jù)悉，三星西安NAND廠的目標(biāo)是在年底前建成一條晶圓吞吐量達(dá)到每月2000至5000片的第九代V-NAND產(chǎn)線。這一產(chǎn)能的提升，不僅將滿足市場(chǎng)對(duì)高性能NAND閃存芯片日益增長(zhǎng)的需求，也將進(jìn)一步鞏固三星在全球NAND閃存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

此次產(chǎn)線建設(shè)是三星在NAND閃存領(lǐng)域持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴(kuò)張的重要體現(xiàn)。隨著第九代V-NAND產(chǎn)線的建成投產(chǎn)，三星將能夠?yàn)榭蛻籼峁└酉冗M(jìn)、可靠的存儲(chǔ)解決方案，推動(dòng)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展。