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LM74900Q1EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-08-21 16:10 ? 次閱讀
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Texas Instruments LM74900Q1EVM評估模塊配置用于評估LM74900-Q1的運行情況。LM74900-Q1理想二極管控制器適合用于反向電池保護應(yīng)用。LM74900Q1EVM可確定LM74900-Q1如何控制兩個背靠背N溝道功率MOSFET,以模擬理想的二極管整流器。該仿真具有電源路徑開/關(guān)控制、過流和過壓保護特性。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments LM74900Q1EVM評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • 工作電壓范圍:3V至65V
  • 5A至10A可調(diào)過流保護(使用板載跳線)
  • 編程斷路器計時器 模擬電流監(jiān)測輸出
  • 用于指示故障的LED狀態(tài)指示

PCB布局

1.png

測試設(shè)備設(shè)置

2.png

LM74900Q1EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

LM74900Q1EVM是德州儀器(TI)推出的一款汽車級理想二極管控制器評估模塊,專為評估LM749x0-Q1系列器件性能而設(shè)計。該模塊通過驅(qū)動背對背N溝道MOSFET,實現(xiàn)了帶有電源路徑開關(guān)控制的理想二極管整流功能,同時集成了過流、短路和過壓保護。

核心特性

  • ?寬電壓輸入范圍?:3V至65V,支持12V和24V汽車電池系統(tǒng)
  • ?負(fù)壓耐受能力?:可承受低至-65V的負(fù)向電壓
  • ?雙MOSFET架構(gòu)?:集成理想二極管控制器(DGATE)和電源路徑開關(guān)控制(HGATE)
  • ?多重保護機制?:過流、短路、過壓及欠壓保護
  • ?可編程功能?:5A/10A可調(diào)過流保護、電路斷路器定時器、自動重試/鎖定選項
  • ?狀態(tài)指示?:故障指示燈和輸出狀態(tài)LED

二、硬件架構(gòu)詳解

1. 系統(tǒng)組成

評估模塊包含三個主要部分:

  • ?主控芯片?:默認(rèn)搭載LM74910-Q1(可更換為LM74900-Q1)
  • ?功率開關(guān)?:外部背對背N溝道MOSFET(Q3/Q4)
  • ?接口電路?:包含配置跳線、測試點和狀態(tài)指示燈

2. 關(guān)鍵電路設(shè)計

  • ?電源輸入保護?:
    • LM74610QDGKRQ1驅(qū)動CSD18513Q5A MOSFET實現(xiàn)反極性保護
    • 150μF電容+1mH電感組成π型濾波器
    • 33V TVS二極管(D1)提供過壓保護
  • ?電流檢測?:
    • IPROPI引腳輸出比例電流(0.54V/A或0.27V/A可選)
    • 計算公式:ITRIP = VITRIP_LVL/RIPROPI × AIPROPI
    • 通過J11跳線選擇5A或10A過流保護閾值
  • ?定時器配置?:
    • J10跳線選擇1ms/10ms定時或鎖定模式
    • 可編程故障響應(yīng)時間

三、典型應(yīng)用場景

  1. ?汽車電子系統(tǒng)?:
    • ADAS域控制器電源保護
    • 攝像頭/雷達(dá)ECU反向電池保護
    • 車載信息娛樂系統(tǒng)(head unit)
    • 高端音頻放大器
  2. ?工業(yè)電源管理?:
    • 24V工業(yè)總線供電設(shè)備
    • 電機驅(qū)動保護電路
    • 電源冗余系統(tǒng)
  3. ?其他應(yīng)用?:
    • 電信設(shè)備電源保護
    • 太陽能系統(tǒng)防反接保護
    • 電池管理系統(tǒng)(BMS)

四、評估測試指南

1. 基本測試配置

  • ?測試設(shè)備要求?:
    • 可調(diào)電源(0-60V/0-50A)
    • 數(shù)字萬用表
    • 示波器(建議DPO2024或等效型號)
    • 負(fù)載電阻(支持50A/60V)
  • ?默認(rèn)跳線設(shè)置?:| 跳線 | 設(shè)置 | 功能 |
    | ------ | ------ | ------------------- |
    | J5 | 1-2 | EN接C(高電平使能) |
    | J6 | 1-2 | 禁用SLEEP模式 |
    | J11 | 3-4 | 5A過流保護 |

2. 關(guān)鍵測試項目

  1. ?上電/斷電測試?:
    • 通過J5控制EN引腳
    • 觀察VCAP-VVS、VOUT、HGATE和DGATE波形
    • 典型啟動時間<10ms
  2. ?過壓保護測試?:
    • 逐步增加輸入電壓至40V
    • 驗證37V過壓保護閾值
    • 觀察HGATE關(guān)斷行為
  3. ?過流響應(yīng)測試?:
    • 負(fù)載從4A階躍至6A(5A保護閾值)
    • 測量響應(yīng)時間和自動重試周期
    • 典型響應(yīng)時間<1μs
  4. ?輸出短路測試?:
    • 輸出端直接對地短路
    • 驗證短路保護響應(yīng)
    • 最大短路電流限制

五、設(shè)計注意事項

  1. ?熱管理?:
    • 功率MOSFET需適當(dāng)散熱
    • 連續(xù)工作電流限制
    • 環(huán)境溫度不超過85°C
  2. ?布局建議?:
    • 輸入電容靠近VIN引腳
    • 功率走線短而寬
    • 合理布置接地過孔
  3. ?安全警告?:
    • 操作時注意高壓區(qū)域
    • 避免輸出短路
    • 正確連接負(fù)載后再上電
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