Pcore2 34mm

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。

BMF80R12RA3產(chǎn)品與高速大電流IGBT在20kW逆變焊機(jī)應(yīng)用工況中進(jìn)行電力電子仿真對(duì)比。仿真數(shù)據(jù)表明，碳化硅MOSFET功率模塊可在80kHz以上的開關(guān)頻率下運(yùn)行，且相較于IGBT，其總損耗還能再降低至50%左右。

此外，基本半導(dǎo)體針對(duì)34mm模塊在逆變焊機(jī)的應(yīng)用，可提供碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)板整體解決方案及其零件。

產(chǎn)品拓?fù)?/p>

產(chǎn)品特點(diǎn)

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)

性能顯著提升

低導(dǎo)通電阻

高溫下RDS(on)表現(xiàn)優(yōu)異，導(dǎo)通損耗更低，穩(wěn)定性強(qiáng)

低開關(guān)損耗

支持高頻運(yùn)行，功率密度大幅提升

高工作結(jié)溫

Tvj=175℃

應(yīng)用領(lǐng)域

高端工業(yè)電焊機(jī)

感應(yīng)加熱設(shè)備

工業(yè)變頻器

電鍍電源

產(chǎn)品列表

產(chǎn)品性能實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)(BMF80R12RA3)

1. 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

2. 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

碳化硅MOSFET開關(guān)速度較快，常溫和高溫開關(guān)損耗較低；

BMF80R12RA3在高壓800V，大電流80A時(shí)，無(wú)論在常溫或是高溫下，碳化硅MOSFET本身以及體二極管的關(guān)斷電壓尖峰均在1200V以內(nèi)，關(guān)斷電壓尖峰小。

BMF80R12RA3開關(guān)波形（Tj=150℃）

測(cè)試條件：

VDC=800V;ID=80A; RG(on)=15Ω, RG(off)=8.2Ω, VGS(op)=-4V/+18V。

測(cè)試條件：

VDC=800V;ID=160A; RG(on)=15Ω, RG(off)=8.2Ω, VGS(op)=-4V/+18V。

H橋硬開關(guān)拓?fù)潆娏﹄娮臃抡妗笝C(jī)應(yīng)用

1. H橋硬開關(guān)拓?fù)潆娏﹄娮臃抡?BMF80R12RA3)

電力電子仿真基于產(chǎn)品（器件或模塊）的PLECS模型，模擬用戶實(shí)際的工況條件和運(yùn)行模式，根據(jù)產(chǎn)品的評(píng)估結(jié)果，判斷其可行性，給用戶在實(shí)戰(zhàn)前一個(gè)非常好的參考。

仿真80℃散熱器溫度下，電焊機(jī)功率20kW工況下，在全橋拓?fù)渲?，我司BMF80R12RA3與傳統(tǒng)IGBT模塊的損耗表現(xiàn)。

2. 仿真結(jié)果(BMF80R12RA3)

仿真結(jié)論：BMF80R12RA3與高速IGBT的仿真數(shù)據(jù)相比，即使開關(guān)頻率從傳統(tǒng)IGBT的20kHz提升到碳化硅MOSFET的80kHz，在同樣20kW的功率情況下，碳化硅的總損耗在B***模塊的一半左右，整機(jī)效率提高接近1.58個(gè)百分點(diǎn)，表現(xiàn)非常優(yōu)異。

采用碳化硅MOSFET模塊，可提高開關(guān)頻率，并減小整臺(tái)焊機(jī)的質(zhì)量、體積和噪聲，提高整機(jī)效率，同時(shí)加快動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度、輸出電流及功率的控制將更加精準(zhǔn)，使得焊接電源實(shí)施更高質(zhì)量的焊接工藝控制變得更容易。

基本半導(dǎo)體提供碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)板整體解決方案及其零件——針對(duì)34mm

BSRD-2427所應(yīng)用到的以下三款零件為基本半導(dǎo)體自主研發(fā)產(chǎn)品，用戶可單獨(dú)使用以下零件進(jìn)行整體方案的設(shè)計(jì)。

關(guān)于基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無(wú)錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心團(tuán)隊(duì)由來自清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院、英國(guó)劍橋大學(xué)等國(guó)內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士組成。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級(jí)及工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，服務(wù)于電動(dòng)汽車、風(fēng)光儲(chǔ)能、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體是國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，承擔(dān)了國(guó)家工信部、科技部及廣東省、深圳市的眾多研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國(guó)科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。